MEMS技術によるX線リソグラフィーマスクの試作
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概要
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We fabricated two kinds of Si X-ray masks only in a dry etching without electroplating and chemical etching. The first mask is a stencil X-ray mask without a membrane. An X-ray absorber of thickness 30 μm with vertical sidewalls was able to be fabricated. The second mask is an X-ray mask with a Si membrane. The thickness of the X-ray absorber and the membrane is 30 μm and 5 μm, respectively. In addition, we succeeded in demonstration of the X-ray lithography in the beam line BL-4 of the synchrotron radiation facility TERAS of AIST using the Si stencil X-ray mask. Line and space patterns with the line width 2 - 200 μm were transcribed plainly on the surface of a PMMA sheet. It was confirmed that the edge of PMMA microstructures was sharp by SEM observation.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2007-02-01
著者
-
前田 龍太郎
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
前田 龍太郎
産総研
-
銘苅 春隆
独立行政法人 産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
-
高野 貴之
独立行政法人 産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
-
粟津 浩一
独立行政法人 産業技術総合研究所 近接場光応用工学研究センター
-
粟津 浩一
産業技術総合研究所近接場光応用工学研究センター
-
粟津 浩一
産業技術総合研 近接場光応用工学研究セ
-
粟津 浩一
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
前田 龍太郎
独立行政法人 産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
-
銘苅 春隆
Beansプロジェクト Macro Beans センター
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