マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(<特集>セラミックスインテグレーション)
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概要
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Strontium titanate (SrTiO_3) perovskite oxide thin films have been investigated for use as a dielectric materi-al for by-pass (RF-shunt) capacitors in microwave monolithic integrated circuits (MMIC). This paper describes the structural and electrical features of SrTiO3 thin films and some issues related to the integration of SrTiO_3 thin film on a silicon substrate, as a planar capacitor structure. The specific properties of the capacitors are found to be strongly dependent on the SrTiO_3 deposition conditions, post thermal treatment and choice of the bottom electrode.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2002-05-01
著者
-
鈴木 利昌
太陽誘電
-
藤本 正之
太陽誘電株式会社
-
藤本 正之
太陽誘電(株)
-
藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
森戸 健太郎
太陽誘電(株)
-
若林 博孝
太陽誘電(株)
-
藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
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