エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-01
著者
-
鈴木 利昌
太陽誘電
-
西 湯二
太陽誘電株式会社
-
藤本 正之
太陽誘電株式会社
-
藤本 正之
太陽誘電(株)
-
舟窪 浩
東工大総理工
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
-
藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
西 湯二
太陽誘電(株)
-
石川 勝之
東工大
-
藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大工
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東工大
関連論文
- KNbO_3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価
- 22pHS-1 ペロブスカイト酸化物中にドープされた3d遷移金属の第一原理計算(22pHS 誘電体・フォノン(酸化物・第一原理計算),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Direct Crystallization and Characterization of Bi_3TiTaO_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- 28pRB-6 チタン酸バリウム中の酸素欠陥による水素価数変化の第一原理計算(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- FeNiSiO_2/SiO_2高抵抗磁性薄膜装荷インダクタの作製
- 高周波磁性薄膜のCu-BCB2層インダクタへの応用
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜を用いた高周波薄膜インダクタ
- 磁性薄膜装荷型インダクタを用いた薄膜PAモジュールの試作
- (Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
- 新しい磁性薄膜インダクターの高周波への応用(セラミックスインテグレーション)
- 1D16 Co-Fe 系ナノグラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性
- 2P5-1 VHF帯超音波イメージングを目的としたKNbO_3配向制御膜トランスデューサ(ポスターセッション)
- 1J1-3 水熱合成法によるKNbO_3エピタキシャル膜の作製と特性評価(超音波物性・材料・フォノン物理)
- サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- GHz帯域用CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の磁気特性
- CoFeAlO薄膜のGHz帯域の磁気特性
- CoFeAlO薄膜を用いた高周波チョークコイル
- 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究 (平成21年度研究報告)
- ナノ強誘電体の基礎物性 : 現状と将来展望
- MOCVD法によるPbTiO_3ナノ島作製とその強誘電性
- 24pYE-6 圧電応答顕微鏡でみる分域像(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
- 29pXH-2 自己組織化による強誘電体PbTiO_3ナノ構造の形成と構造制御(領域10シンポジウム : ナノスケール構造を利用した物質創製-材料種の枠を超えて)(領域10)
- 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の観察と評価
- 21pXC-7 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の分極反転過程の観察と評価
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- CoFeSiOグラニュラー積層磁性薄膜を用いたRFインダクタの試作と評価
- 高周波セラミックスインテグレーション
- マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(セラミックスインテグレーション)
- エピタキシャルSnO_2ルチル薄膜中の欠陥構造の透過型電子顕微鏡研究
- 高分解能透過型電子顕微鏡とコンピューターシミュレーションによる電子材料ペロブスカイトセラミックスの欠陥構造の解析
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- 誘電体材料の電子顕微鏡による解析評価
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- Impact of 90ﾟ-Domain Wall Motion in Pb(Zr_Ti_)O_3 Film on the Ferroelectricity Induced by an Applied Electric Field
- Thick Epitaxial Pb(Zr_,Ti_)O_3 Films Grown on (100)CaF_2 Substrates with Polar-Axis-Orientation
- 3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
- FeNiSiO/SiO_2高抵抗積層グラニュラー膜の磁気特性
- 2C21 BaTiO_3-Nb_2O_5-CoO 系における焼結挙動と特性
- GHz帯域用積層構造ナノグラニュラー薄膜の磁気特性 ([日本電子材料技術協会]第43回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- MBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造と表面構造
- 3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
- 26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
- 26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
- 2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
- 積層セラミクスチップ部品とモジュールのレーザー穴開け
- マンガン亜鉛フェライトセラミックス粒界のオージェ電子分光(表面・界面・薄膜と分析化学)
- トンネル分光法によるSrTiO_3セラミックス表面の観察(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- 多次元検出器と高分解能X線回折装置を用いた薄膜材料解析
- X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察 (特集 強誘電体におけるドメインエンジニアリングの最新動向)
- 自己無撞着非調和理論を用いたペロブスカイト型誘電体の強誘電特性の解析
- 26aYE-12 チタン酸バリウムの微粒子特性に関する理論的考察(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr,Ti)O_3の高再現性作製のための(111)配向したSrRuO_3/Pt下部電極(非揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性
- 2D01 MOCVD 法で合成した PZT 薄膜の電気的性質
- 3B09 CVD 法によるエピタキシャル BaTiO_3 及び SrTiO_3 薄膜の合成
- Structural Modulation in Oxygen Deficient Epitaxial Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_X Observed by X-ray Reciprocal Space Mapping
- Epitaxial Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) Film Deposited on Si(100) Substrate by YAG Laser
- Effect of Buffer Layer on Epitaxial Growth of YSZ Deposited on Si Substrate by Slower Q-switched 266nm YAG Laser
- Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_X Thin Film Deposition by Q-switched YAG Laser
- 23pTE-4 誘電体点欠陥の電子状態計算におけるPseudo SICの効果(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 23pTK-10 SrTiO_3におけるMn微量添加元素の第一原理電子状態計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- セラミックスインテグレーション技術による先端マイクロ波集積回路(セラミックスインテグレーション)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- マイクロ波・ミリ波セラミックスインテグレーション (特集 セラミックスインテグレーション)
- 圧電体セラミックス : PZT の基礎と応用
- Effect of La substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_ Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)
- Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg_Nb_)O_3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Preparation and Structural Analysis of Micro-patterned Pb(Zr,Ti)O_3 Film by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Perovskite SrIrO_3 Films on (100)SrTiO_3 Substrates
- Epitaxial Pt Films with Different Orientations Grown on (100)Si Substrates by RF Magnetron Sputtering
- Epitaxial Growth of (100)-Oriented β-FeSi_2 Thin Films on Insulating Substrates
- Photoluminescence Properties from β-FeSi_2 Film Epitaxially Grown on Si, YSZ and Si//YSZ
- Epitaxial Growth of β-FeSi_2 on Single Crystal Insulator
- Crystal Structure Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition-β-FeSi_2 Thin Film by X-ray Diffraction Measurement
- Perovskite Single-Phase Growth of Epitaxial Pb(Zn_Nb_)O_3 Films by Alternative-Source-Gas-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- 18aPS-45 Fe_3Siの電子輸送現象(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- Y_2O_3-Stabilized ZrO_2 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Residual Strain and Crystal Structure of BaTiO_3-SrTiO_3 Thin Films Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Film Thickness Dependence of Dielectric Property and Crystal Structureof PbTiO_3 Film Prepared on Pt/SiO_2/Si Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- 3F07 ランタノイド置換チタン酸ビスマス薄膜の MOCVD 合成と評価
- 3D05 ローカルエピタキシャル成長を利用した単配向 Bi 層状強誘電体薄膜の低温合成
- 新しい薄膜モジュールにおける配線接続技術(セラミックスインテグレーション)
- 収束イオンビーム法による薄膜受動集積回路の局所微小領域観察
- 超小型積層セラミックチップ部品と積層モジュールの開発
- 層状ペロブスカイトNa_2La_2Ti_3O_の構造解析とイオン伝導性
- AlNセラミックスの熱伝導率に対するCF_4ガス雰囲気中加熱処理の効果
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の狭い強磁性共鳴ピークに対するPd添加効果
- 粒界の結晶構造を見る-電子顕微鏡と分子動力学法
- 下地膜によるCo-Smアモルファス薄膜の熱処理挙動改善
- Co-Smアモルファス薄膜の高周波磁気特性
- Pd添加CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー磁性薄膜の高周波透磁率特性
- 急冷された酸化マグネシウム-モンチセライト焼結体の高分解能TEM並びにSTEMによる研究(セラミックスの微細構造)