19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研究所

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 藤沢 浩訓

  兵庫県大

• 清水 勝

  兵庫県大

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 小高 康稔

  東大工

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 小高 康稔

  富士通研

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