山崎 貴司 | 東理大理

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概要

• 同名の論文著者
• 東理大理の論文著者

関連著者

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 橋本 巌

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 倉持 幸治

  東理大理

• 中西 伸登

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大物理

• 橋本 巖

  東理大理

• 塩尻 詢

  金沢医大:京工繊大

• 菊地 吉男

  MIRAIプロジェクト

• 塩尻 詢

  金沢医大

• 塩尻 詢

  金沢医大・解剖1

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 川崎 正博

  Jeol U.s.a.

• 橋本 厳

  東理大理

• 川崎 正博

  日本電子株式会社

• 川崎 正博

  日本電子(株)電子光学機器技術本部応用研究センター1g

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 小高 康稔

  富士通研

• 菊地 吉男

  富士通研

• 小高 康稔

  東大工

• 浅野 英司

  東理大理

• 塩尻 詢

  京都工芸繊維大

• 原 真也

  東理大理

• 伊坂 朋子

  東理大理

• 上杉 文彦

  東芝ナノアナリシス(株)

• 奥西 栄治

  日本電子(株)

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 鈴木 謙太郎

  東理大理

• 草部 一秀

  東理大理

• 奥西 栄治

  日本電子:jst-crest

• 橋本 嚴

  東理大理

• 山崎 貴司

  東理大物理

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 山田 嗣人

  東理大理

• 奥西 栄治

  日本電子

• 山崎 貴司

  東理大

• 三石 和貴

  物材機構

• 三石 和貴

  物質・材料研究機構

• 菊地 吉男

  半導体MIRAIプロジェクト

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 大川 和宏

  東理大理

• 富樫 富隆

  東理大理

• 江原 彩子

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大 理

• 菊地 吉男

  ASET

• 大塚 真弘

  東理大理

• 堀尾 吉巳

  大同工大

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三石 和貴

  物質材料研究機構

• 高島 隆一

  東理大理

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 堀尾 吉巳

  大同工大工

• 三石 和貴

  (独)物質・材料研究機構

• 橋本 巌

  東理大

• 三石 和貴

  物材機構ナノマテ研

• 鈴木 良一

  電総研

• 古屋 一夫

  物材機構

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• 佐藤 茂樹

  TDK基礎材研

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• 古屋 一夫

  物質・材料研究機構

• 竹口 雅樹

  物質・材料研究機構

• 藤沢 浩訓

  兵庫県大

• 清水 勝

  兵庫県大

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 竹口 雅樹

  物材機構

• 上杉 文彦

  東理大

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 渡邉 琢哉

  東理大理

• 栗原 俊

  高エネ機構物構研

• 上杉 文彦

  東理大理

• 伊野家 浩司

  Fei Company Japan

• 尾崎 優子

  東理大理

• Hsu J.

  台湾国立研究所

• Yang J.

  台湾大学

• 安西 優

  東理大理

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• 柏木 章宏

  東理大理

• 竹口 雅樹

  物質材料研究機構

• 照井 大輔

  東理大理

• 倉持 幸治

  産業技術高専

• 古屋 一夫

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研

• 古屋 一夫

  金属材料技術研究所精密励起場ステーション

• Kawasaki M.

  JEOL Ltd.

• 照井 大輔

  東理大物理

• 大川 和宏

  科技構ERATO

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• 橋本 嚴

  東理大

• 加勢 正隆

  富士通

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• Strum S.

  Jozef Stefan Institute

• Ceh M.

  Jozef Stefan Institute

• 塩尻 駿詢

  金沢医大

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 竹口 雅樹

  物材機構ナノマテ研

• 佐藤 茂樹

  Tdk

• 安西 優

  東理大

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著作論文

• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
• 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
• 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
• 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
• 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
• 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
• 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• HAADF-STEMによるSi中の不純物As原子の2次元分布の測定
• 27aYA-5 HAADF-STEMによるイオン打ち込みしたSi中のAs原子の同定
• 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
• 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
• 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
• 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
• 24aZL-6 RHEED rocking curveのpeakの起源 II
• 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aXC-2 高分解能HAADF STEM像に及ぼすわずかな斜め入射の効果
• 22aYH-3 Si(011)のスルーフォーカスHAADF-STEM像
• 22aYH-2 HAADF-STEM像の計算手法
• HAADF-STEMによるSrTiO_3中Bi分布の定量解析
• 24aZL-9 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定 II
• 27aYA-4 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定
• 27aYA-3 高分解能HAADF-STEM像による不純物濃度決定の簡単な計算手法
• 24aYK-5 3次元Bloch波を用いたRHEED計算法の開発(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXM-5 欠陥を含んだ高分解能STEM像計算の高速化(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
• 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28p-XJ-4 動力学的HOLZ計算の新手法
• 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYA-1 Si(001)RHEED rocking curveのpeakの起源
• 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 30pXD-8 界面を含む HAADF STEM 像の画像処理
• 30pXD-7 HAADF STEM 像による Si/SiO_2 の構造解析 II
• 18pTH-8 新しいHAADF STEM像計算のconvolution表示II
• 22pXB-4 Structural and compositional analysis of planer faults in XO-doped SrTiO_3 (X=Sr, Ca, Ba)
• 18pTH-7 HAADF STEM像はconvolution表示できるのか?
• 28aXC-3 HAADF STEM像のconvolution表示
• 28aXC-1 新しいSTEM像の計算手法 II
• 28aXM-9 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法II(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXB-4 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法
• 21aXA-11 ZnO amorphous 中に含まれる ZnO 多重双晶微粒子の解析
• 28pYG-1 Bi_2O_3 を添加した ZnO の界面構造
• 28p-XJ-5 2次元、3次元Bloch波による電子線回折の解析
• 7aSL-3 Low-order zone axis CBED法を用いた試料の膜厚測定((電子線),X線・粒子線,領域10)
• 7aSK-11 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化II(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

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