山崎 貴司 | 東京理科大学 理学部

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概要

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関連著者

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 小高 康稔

  東大工

• 小高 康稔

  富士通研

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 山崎 貴司

  株式会社富士通研究所

• 小高 康稔

  株式会社富士通研究所

• 大塚 真弘

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大物理

• 山崎 貴司

  富士通研

• 山崎 貴司

  東理大理

• 倉持 幸治

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 宇井 幸一

  東京理科大学理工学部

• 小浦 延幸

  東京理科大学理工学部

• 岸尾 光二

  東大工

• 小浦 延幸

  Faculty Of Science And Technology Tokyo University Of Science

• 宇井 幸一

  Faculty Of Science And Technology Tokyo University Of Science

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 山崎 貴司

  東京理科大学理学部物理学科

• 片岡 祐治

  株式会社富士通研究所

• 上浦 尚子

  東京理科大学 理工学部

• 上浦 尚子

  東京理科大学理工学研究科工業化学専攻

• 小浦 延幸

  東理大・理工

• 小浦 延幸

  東京理科大学 理工学部

• 井手本 康

  東京理科大学理工学部

• 川崎 正博

  Jeol U.s.a.

• 川崎 正博

  日本電子株式会社

• 井手本 康

  東理大理工

• 井手本 康

  東京理科大学

• 竹内 謙

  東京理科大学基礎工学部

• 竹内 謙

  東理大基礎工

• 塚田 峰春

  株式会社富士通研究所

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 片岡 裕治

  株式会社富士通研究所

• 鈴木 謙太郎

  東理大理

• 渡邉 琢哉

  東理大理

• 江原 彩子

  東理大理

• 照井 大輔

  東理大物理

• 山崎 貴司

  東理大物理

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 添田 武志

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 21aHS-4 球面収差補正STEM像の結像に及ぼす色収差係数の影響(21aHS X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHS-5 高分解能プラズモンロス像の計算方法とその応用(21aHS X線・粒子(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pRE-8 球面収差補正電磁レンズの色収差係数測定方法(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 球面収差補正STEMによる原子分解能評価 (特集 富士通プロダクトを支える分析・解析技術)
• 26aYK-5 高分解能HAADF STEM像における検出角度と像強度の依存性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 多変量解析を応用した高分解能電子顕微鏡像のノイズ処理(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• エチレングリコールを混合したZnCl_2-NiCl_2-EMIC常温型溶融塩浴を用いたクラックフリーアモルファスZn-Ni合金の電析
• 有機溶媒添加ZnCl_2-NiCl_2-EMIC常温型溶融塩浴を用いたクラックフリー非晶質Zn-Ni合金の電析
• Energy-unfiltered CBED による局所歪場の測定
• 半導体セラミックス材料の粒界観察
• 25pWZ-5 プラズモンロスに空間分布を有するSTEM-EELS像の計算(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• STEM像の解釈(2)
• STEM像の解釈(1)
• 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pTN-10 ZernikeモーメントとCBED像を用いた歪み解析法の提案(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-8 収束電子線が励起する結晶中の波動場における色収差係数の影響(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-2 高角度明視野走査透過電子顕微鏡像の検出器位置の精密測定とその影響(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-1 高分解能明視野STEM像のBloch波による解析(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-5 円板状明視野検出器による軽元素検出STEM結像法(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-3 Bloch波法によるFrozen lattice計算とその応用(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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