21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
橋本 巌
東理大理
-
山崎 貴司
富士通研究所
-
橋本 巌
東理大物理
-
山崎 貴司
東京理科大学 理学部
-
大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
-
照井 大輔
東理大物理
-
山崎 貴司
東理大物理
-
草部 一秀
東理大応用理
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