山崎 貴司 | 富士通研究所

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概要

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• 富士通研究所の論文著者

関連著者

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  東理大理

• 倉持 幸治

  東理大理

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 橋本 巌

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大物理

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 小高 康稔

  東大工

• 小高 康稔

  富士通研

• 渡辺 和人

  都立高専

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 橋本 巖

  東理大理

• 山崎 貴司

  株式会社富士通研究所

• 小高 康稔

  株式会社富士通研究所

• 橋本 厳

  東理大理

• 大塚 真弘

  東理大理

• 中西 伸登

  東理大理

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 山崎 貴司

  富士通研

• 鈴木 謙太郎

  東理大理

• 草部 一秀

  東理大理

• 片岡 祐治

  株式会社富士通研究所

• 菊地 吉男

  MIRAIプロジェクト

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 大川 和宏

  東理大理

• 江原 彩子

  東理大理

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 照井 大輔

  東理大物理

• 上杉 文彦

  東芝ナノアナリシス(株)

• 高島 隆一

  東理大理

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 宇井 幸一

  東京理科大学理工学部

• 小浦 延幸

  東京理科大学理工学部

• 岸尾 光二

  東大工

• 竹内 謙

  東京理科大学基礎工学部

• 竹内 謙

  東理大基礎工

• 小浦 延幸

  Faculty Of Science And Technology Tokyo University Of Science

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• 三石 和貴

  物材機構

• 宇井 幸一

  Faculty Of Science And Technology Tokyo University Of Science

• 竹口 雅樹

  物質・材料研究機構

• 三石 和貴

  物質・材料研究機構

• 藤沢 浩訓

  兵庫県大

• 清水 勝

  兵庫県大

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 塚田 峰春

  株式会社富士通研究所

• 山崎 青司

  東理大理

• 小高 廣稔

  富士通研

• 竹口 雅樹

  物材機構

• 上浦 尚子

  東京理科大学 理工学部

• 上浦 尚子

  東京理科大学理工学研究科工業化学専攻

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 小浦 延幸

  東理大・理工

• 富樫 富隆

  東理大理

• 片岡 裕治

  株式会社富士通研究所

• 渡邉 琢哉

  東理大理

• 尾崎 優子

  東理大理

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• 柏木 章宏

  東理大理

• 三石 和貴

  物質材料研究機構

• 竹口 雅樹

  物質材料研究機構

• 照井 大輔

  東理大理

• 倉持 幸治

  産業技術高専

• 山崎 貴司

  東理大物理

• 大川 和宏

  科技構ERATO

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• 三石 和貴

  (独)物質・材料研究機構

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 竹口 雅樹

  物材機構ナノマテ研

• 添田 武志

  株式会社富士通研究所

• 小浦 延幸

  東京理科大学 理工学部

• 三石 和貴

  物材機構ナノマテ研

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著作論文

• 21aHS-4 球面収差補正STEM像の結像に及ぼす色収差係数の影響(21aHS X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHS-5 高分解能プラズモンロス像の計算方法とその応用(21aHS X線・粒子(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pRE-8 球面収差補正電磁レンズの色収差係数測定方法(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 球面収差補正STEMによる原子分解能評価 (特集 富士通プロダクトを支える分析・解析技術)
• 26aYK-5 高分解能HAADF STEM像における検出角度と像強度の依存性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 多変量解析を応用した高分解能電子顕微鏡像のノイズ処理(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• エチレングリコールを混合したZnCl_2-NiCl_2-EMIC常温型溶融塩浴を用いたクラックフリーアモルファスZn-Ni合金の電析
• 25pWZ-5 プラズモンロスに空間分布を有するSTEM-EELS像の計算(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• STEM像の解釈(2)
• STEM像の解釈(1)
• 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-5 3次元Bloch波を用いたRHEED計算法の開発(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pTN-10 ZernikeモーメントとCBED像を用いた歪み解析法の提案(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-8 収束電子線が励起する結晶中の波動場における色収差係数の影響(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-2 高角度明視野走査透過電子顕微鏡像の検出器位置の精密測定とその影響(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-1 高分解能明視野STEM像のBloch波による解析(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-5 円板状明視野検出器による軽元素検出STEM結像法(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-3 Bloch波法によるFrozen lattice計算とその応用(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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