上杉 文彦 | 東芝ナノアナリシス(株)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
-
橋本 巌
東理大理
-
渡辺 和人
都立高専
-
菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
-
上杉 文彦
東理大
-
橋本 巌
東理大 理
-
橋本 巌
東理大
-
加勢 正隆
富士通
-
菊地 吉男
富士通(株)
-
菊地 吉男
富士通研
-
加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
-
山崎 貴司
東理大理
-
上杉 文彦
東理大理
-
山崎 貴司
富士通研究所
-
吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
-
吉田 正道
富士通
-
長枝 浩
株式会社トリマティス
-
長枝 浩
富士通
-
加瀬 正隆
富士通
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
菊池 吉男
富士通
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
鈴木 良一
電総研
-
橋川 直人
東理大
-
半田 久美子
富士通(株)
-
原 真也
東理大理
-
栗原 俊
高エネ機構物構研
-
山崎 貴司
東理大物理
-
山崎 貴司
東理大
著作論文
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 28p-XJ-3 動力学計算を用いた格子定数測定法の改善
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28p-XJ-4 動力学的HOLZ計算の新手法
- 30p-YC-2 HOLZ lineを用いたイオン打ち込みされたSi中のself-interstitialの解析
- Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性
- 3a-M-13 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物III
- 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II