菊地 吉男 | MIRAIプロジェクト

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概要

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関連著者

• 渡辺 和人

  都立高専

• 菊地 吉男

  MIRAIプロジェクト

• 橋本 巌

  東理大理

• 菊地 吉男

  富士通研

• 菊地 吉男

  富士通(株)

• 上杉 文彦

  東芝ナノアナリシス(株)

• 山崎 貴司

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大 理

• 橋本 巌

  東理大

• 加勢 正隆

  富士通

• 上杉 文彦

  東理大

• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研

• 山口 弘之

  東理大理

• 小高 康稔

  東大工

• 中西 伸登

  東理大理

• 菊地 吉男

  東理大理

• 奥西 栄治

  日本電子(株)

• 橋本 巖

  東理大理

• 橋川 直人

  東理大

• 平塚 健二

  東理大理

• 上杉 文彦

  東理大理

• 奥西 栄治

  日本電子:jst-crest

• 奥西 栄治

  日本電子

• 川崎 正博

  Jeol U.s.a.

• 川崎 正博

  日本電子株式会社

• 川崎 正博

  日本電子(株)電子光学機器技術本部応用研究センター1g

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 橋本 巌

  東理大物理

• 吉田 正道

  富士通(株)プロセス開発部

• 吉田 正道

  富士通

• 倉持 幸治

  東理大理

• 菊地 吉男

  半導体MIRAIプロジェクト

• 長枝 浩

  株式会社トリマティス

• 長枝 浩

  富士通

• 加瀬 正隆

  富士通

• 菊池 吉男

  富士通

• 菊地 吉男

  ASET

• 塩尻 詢

  金沢医大:京工繊大

• 鈴木 良一

  電総研

• 朱 紅

  都立高専

• 浅野 英司

  東理大理

• 塩尻 詢

  京都工芸繊維大

• 山崎 青司

  東理大理

• 小高 廣稔

  富士通研

• 塩尻 詢

  金沢医大

• 橋川 直人

  ルネサステクノロジ

• 大島 義文

  富士通

• 半田 久美子

  富士通(株)

• 塩尻 詢

  金沢医大・解剖1

• 中村 和彦

  Tme

• 中村 和彦

  東理大理

• 栗原 俊

  高エネ機構物構研

• 山崎 貴司

  東理大物理

• 山口 弘之

  東理大 (理) 物質

• 山崎 貴司

  東理大

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著作論文

• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
• 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
• 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
• 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
• 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
• 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
• 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
• 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
• 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
• 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
• 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
• 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• HAADF-STEMによるSi中の不純物As原子の2次元分布の測定
• 27aYA-5 HAADF-STEMによるイオン打ち込みしたSi中のAs原子の同定
• 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
• 28p-XJ-3 動力学計算を用いた格子定数測定法の改善
• 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
• 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
• 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
• CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
• 29p-A-6 化合物半導体の等厚干渉縞におけるスクリーニングの効果
• 6p-B5-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算III
• 29p-A-5 格子欠陥の高分解能電子顕微鏡像の計算
• 30p-YC-2 HOLZ lineを用いたイオン打ち込みされたSi中のself-interstitialの解析
• 3p-C-6 Cu中のdivacancyとtrivacancyの高分解能電子顕微鏡像
• 1a-KL-1 AuおよびCu中のvacancyとdi-vacancyの電子顕微鏡像

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