奥西 栄治 | 日本電子
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概要
関連著者
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奥西 栄治
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奥西 栄治
日本電子:jst-crest
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奥西 栄治
日本電子
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高柳 邦夫
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澤田 英敬
Jst-cresta:日本電子
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沢田 英敬
日本電子(株)
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沢田 英敏
Jst-ceest:日本電子
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高柳 邦夫
東工大理工
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近藤 行人
日本電子
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田中 崇之
東工大院理工
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近藤 行人
日本電子株式会社電子光学機器本部
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沢田 英敬
Jst-crest:日本電子
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沢田 英敬
東大工
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田中 崇之
東工大院理工:jst-crest
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田中 崇之
東工大院総理工:東工大院理工
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田中 崇之
東京工業大学大学院理工学研究科
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佐野 健太郎
東工大院理工
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細川 史生
日本電子(株)
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細川 史生
日本電子株式会社
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細川 史生
Jst-crest:日本電子
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細川 史生
日本電子
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橋本 巌
東理大理
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渡辺 和人
都立産技高専
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山崎 貴司
東理大理
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渡辺 和人
都立高専
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中西 伸登
東理大理
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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安藤 雅文
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山崎 順
名大エコトピア研
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田中 信夫
名大エコトピア研
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田中 信夫
名古屋大学
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市川 昌和
東大工
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橋本 巖
東理大理
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市川 昌和
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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高柳 邦夫
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趙 星彪
名大エコ研
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菊地 吉男
ASET
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高柳 邦夫
東工大
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高柳 邦夫
東京工業大学物性物理学専攻
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安部 悠介
東工大院理工
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山崎 順
名大エコ研
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浅野 英司
東理大理
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炭屋 亜美
東工大院総合理工
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高柳 邦夫
東工大理
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大島 義文
東工大総理工
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高柳 邦夫
東工大総理工
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中村 芳明
東大工
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趙 星彪
CREST-JST
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市川 昌和
CREST-JST
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田中 信夫
CREST-JST
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趙 星彪
CIRSE-JST
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中村 芳明
CIRSE-JST
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田中 信夫
CIRSE-JST
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市川 昌和
CIRSE-JST
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高柳 邦夫
東工大 総理工
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菊地 吉男
半導体MIRAIプロジェクト
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Shklyaev Alexander
CREST-JST
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大島 義文
東工大 総理工
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中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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李 少淵
東工大
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谷城 康眞
東工大院総合理工
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李 少淵
東工大院総合理工
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大島 義文
阪大電顕センター
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高柳 邦夫
東工大院総合理工
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谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科
著作論文
- 23pGP-5 電子線非照射下のガス導入による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-4 球面収差補正TEM及びEELSによるグラフェン観察(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTC-9 極薄Si酸化膜を用いたSi(001)表面上のGeナノドットの微細構造および組成の評価(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
- 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 25pYG-1 酸素導入による金ナノ粒子/ルチルの界面の状態変化(ナノ構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-27 ガス導入TEMホルダーによるAu/TiO_2触媒のその場観察II(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pTE-8 ガス雰囲気中その場観察TEM法による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTN-12 LiV2O4結晶の環状明視野像におけるリチウムカラム強度解析(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))