奥西 栄治 | 日本電子:jst-crest
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
奥西 栄治
日本電子:jst-crest
-
奥西 栄治
日本電子(株)
-
沢田 英敏
Jst-ceest:日本電子
-
奥西 栄治
日本電子
-
高柳 邦夫
東工大院理工
-
近藤 行人
Jst-crest:日本電子
-
高柳 邦夫
東京工業大学
-
沢田 英敬
Jst-crest:日本電子
-
沢田 英敬
東大工
-
高柳 邦夫
東工大理工
-
澤田 英敬
Jst-cresta:日本電子
-
沢田 英敬
日本電子(株)
-
沢田 英敬
日本電子株式会社
-
田中 崇之
東工大院理工
-
細川 史生
日本電子株式会社
-
田中 崇之
東工大院理工:jst-crest
-
近藤 行人
日本電子
-
細川 史生
Jst-crest:日本電子
-
田中 崇之
東工大院総理工:東工大院理工
-
田中 崇之
東京工業大学大学院理工学研究科
-
山崎 順
名大エコトピア研
-
田中 信夫
名大エコトピア研
-
田中 信夫
名古屋大学
-
近藤 行人
日本電子株式会社電子光学機器本部
-
奥西 栄治
日本電子株式会社
-
佐野 健太郎
東工大院理工
-
細川 史生
日本電子(株)
-
高柳 邦夫
東工大
-
細川 史生
日本電子
-
橋本 巌
東理大理
-
渡辺 和人
都立産技高専
-
山崎 貴司
東理大理
-
渡辺 和人
都立高専
-
中西 伸登
東理大理
-
菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
-
安藤 雅文
東工大院理工
-
奥西 栄治
JST-CEEST
-
谷城 康眞
東工大院総合理工
-
谷城 康眞
東京工業大学大学院理工学研究科
-
安部 悠介
東工大院理工
-
沢田 英敬
JST-CREST
-
谷城 康眞
東工大院理工
-
山崎 順
名大エコ研
-
市川 昌和
東大工
-
橋本 巖
東理大理
-
谷城 康眞
東工大院理工:jst-crest
-
市川 昌和
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
高柳 邦夫
東京工業大学・大学院理工学研究科・物性物理学専攻
-
富田 健
日本電子株式会社
-
趙 星彪
名大エコ研
-
菊地 吉男
ASET
-
神保 雄
東工大院理工
-
堀 まどか
日本電子株式会社emビジネスユニット
-
高柳 邦夫
東京工業大学物性物理学専攻
-
山本 剛久
東京大学大学院 新領域創成科学研究科物質系専攻
-
田中 信夫
名大エコ研
-
稲元 伸
名大院工
-
浅野 英司
東理大理
-
角嶋 邦之
東工大総理工
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
炭屋 亜美
東工大院総合理工
-
近藤 行人
JST-CREST
-
高柳 邦夫
東工大理
-
石川 勇
日本電子株式会社電子光学機器本部
-
大島 義文
東工大総理工
-
高柳 邦夫
東工大総理工
-
中村 芳明
東大工
-
趙 星彪
CREST-JST
-
市川 昌和
CREST-JST
-
田中 信夫
CREST-JST
-
趙 星彪
CIRSE-JST
-
中村 芳明
CIRSE-JST
-
田中 信夫
CIRSE-JST
-
市川 昌和
CIRSE-JST
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
高柳 邦夫
東工大 総理工
-
菊地 吉男
半導体MIRAIプロジェクト
-
近藤 行人
日本電子株式会社
-
Shklyaev Alexander
CREST-JST
-
山崎 順
名古屋大学エコトピア科学研究機構工学研究科
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
-
大島 義文
東工大 総理工
-
細川 史生
JST-CEEST
-
山崎 順
名古屋大学エコトピア科学研究所
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
中村 芳明
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
堀 まどか
日本電子株式会社 EM ビジネスユニット
-
李 少淵
東工大
-
李 少淵
東工大院総合理工
-
大島 義文
阪大電顕センター
-
高柳 邦夫
東工大院総合理工
-
石川 勇
日本電子株式会社emビジネスユニット
著作論文
- 23pGP-5 電子線非照射下のガス導入による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-6 球面収差補正TEM法によるグラフェン単原子直接観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYH-3 HRTEMおよびHAADF-STEMによるβ-FeSi_2ナノドットの微細構造評価(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-4 球面収差補正TEM及びEELSによるグラフェン観察(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTC-9 極薄Si酸化膜を用いたSi(001)表面上のGeナノドットの微細構造および組成の評価(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 収差補正200kV TEM・STEM
- 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
- 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 25pYG-1 酸素導入による金ナノ粒子/ルチルの界面の状態変化(ナノ構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-27 ガス導入TEMホルダーによるAu/TiO_2触媒のその場観察II(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pTE-8 ガス雰囲気中その場観察TEM法による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYH-5 収差補正STEMによる単原子のZコントラストイメージング(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-11 収差補正STEMによる軽元素の単原子観察(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 解析・評価技術編 原子分解能分析電子顕微鏡「JEM-ARM200F」 (特集 エレクトロニクス分野の検査・計測・解析技術の最新動向)
- 極限の分解能を実現するTEMおよびSTEM (特集 最先端の電子顕微鏡技術と応用展開)
- 分析電顕としてのCsコレクター (最新分析手法とその応用)
- 収差補正STEMを用いたEDSによる原子カラムマッピング
- 収差補正STEMを用いたEELSによる原子カラムマッピング
- 球面収差補正STEMによるシリコン結晶中アンチモン原子の置換位置移動の直接観察
- 24aYK-11 球面収差補正STEMによるシリコン中ドーパント原子の運動の観察(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収差補正200kV TEM・STEM (特集:収差補正技術を用いた応用研究最前線)
- 収差補正走査透過電子顕微鏡を用いた環状明視野法による軽元素位置の直接観察
- 27pTN-12 LiV2O4結晶の環状明視野像におけるリチウムカラム強度解析(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))