中西 伸登 | 東理大理
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概要
関連著者
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中西 伸登
東理大理
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渡辺 和人
都立高専
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橋本 巌
東理大理
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山崎 貴司
東理大理
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渡辺 和人
都立産技高専
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橋本 巖
東理大理
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倉持 幸治
東理大理
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塩尻 詢
金沢医大
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安西 優
東理大理
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安西 優
東理大
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山崎 貴司
富士通研究所
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橋本 巌
東理大物理
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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塩尻 詢
金沢医大・解剖1
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塩尻 詢
金沢医大:京工繊大
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奥西 栄治
日本電子(株)
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奥西 栄治
日本電子:jst-crest
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奥西 栄治
日本電子
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山崎 貴司
東理大
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橋本 巌
東理大
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浅野 英司
東理大理
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小高 康稔
富士通研究所
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小高 康稔
東大工
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橋本 巌
東理大 理
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菊地 吉男
ASET
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高島 隆一
東理大理
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小高 康稔
富士通研
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古屋 一夫
物材機構
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三石 和貴
物材機構
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古屋 一夫
物質・材料研究機構
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三石 和貴
物質・材料研究機構
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菊地 吉男
半導体MIRAIプロジェクト
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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橋本 厳
東理大理
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草部 一秀
東理大理
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伊野家 浩司
Fei Company Japan
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Hsu J.
台湾国立研究所
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Yang J.
台湾大学
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三石 和貴
物質材料研究機構
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古屋 一夫
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研
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古屋 一夫
金属材料技術研究所精密励起場ステーション
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橋本 嚴
東理大理
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山崎 貴司
東理大物理
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草部 一秀
東理大応用理
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大川 和宏
科技構ERATO
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三石 和貴
(独)物質・材料研究機構
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山田 嗣人
東理大理
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渡辺 和人
都享高専
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塩尻 詢
金沢医大:工繊大
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三石 和貴
物材機構ナノマテ研
著作論文
- 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
- 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
- 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
- 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
- 22pXB-11 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化 II
- 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
- 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
- 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 30pXD-9 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化
- 30pXD-8 界面を含む HAADF STEM 像の画像処理
- 30pXD-7 HAADF STEM 像による Si/SiO_2 の構造解析 II
- 18pTH-8 新しいHAADF STEM像計算のconvolution表示II
- 28aXC-3 HAADF STEM像のconvolution表示
- 7aSL-3 Low-order zone axis CBED法を用いた試料の膜厚測定((電子線),X線・粒子線,領域10)
- 7aSK-11 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化II(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 25aXR-5 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 24aWJ-2 HAADF STEM像のdeconvolution処理 II(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))