草部 一秀 | 東理大応用理

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東理大応用理の論文著者

関連著者

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 大川 和宏

  東理大理

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 橋本 巌

  東理大理

• 橋本 巌

  東理大物理

• 山崎 貴司

  東理大理

• 大川 和宏

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

• 平子 晃

  東理大理

• 草部 一秀

  東理大理

• 平子 晃

  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

• 小磯 沙織

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 倉持 幸治

  東理大理

• 照井 大輔

  東理大物理

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 中西 伸登

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 橋本 厳

  東理大理

• 照井 大輔

  東理大理

• 山崎 貴司

  東理大物理

• 大川 和宏

  科技構ERATO

もっと見る 閉じる

著作論文

• 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

スポンサーリンク