GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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• 寄生反応および重合反応を含むTMGa/NH_3/H_2化学反応系と熱放射を含む熱伝達機構を考慮した熱流体計算により、MOVPE法によるGaN成長下における化学状態を解析した。成長レート温度依存性の計算結果は各律速段階を再現しており、実験値と計算値が良く一致することが確認できた。300〜1400Kの範囲での気相分子種濃度の解析から、GaN成長の主たる反応経路はTMGa:NH_3アダクト分子のCH_4解離分解反応である事が分かった。また、アダクト分子が分解して生じたMMGaNHやGa-N分子は反応性が高く重合反応し、600〜750Kでは[MMGaNH]_<4,6>、成長温度付近の高温では[Ga-N]_<4,6>が基板から下流域にかけて発生している事が確認できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-05-20

著者

• 大川 和宏

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

• 大川 和宏

  東理大理

• 平子 晃

  東理大理

• 平子 晃

  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

• 小磯 沙織

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

  東理大応用理

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