24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 2007-08-21

著者

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 山崎 貴司

  東理大理

• 倉持 幸治

  東理大理

• 大川 和宏

  東理大理

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• 橋本 厳

  東理大理

• 草部 一秀

  東理大理

• 照井 大輔

  東理大理

• 照井 大輔

  東理大物理

• 草部 一秀

  東理大応用理

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