27aCL-2 高角度明視野走査透過電子顕微鏡像の検出器位置の精密測定とその影響(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-03-05

著者

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 小高 康稔

  東大工

• 山崎 貴司

  東京理科大学 理学部

• 大塚 真弘

  東理大理

• 小高 康稔

  富士通研

• 山崎 貴司

  富士通研

関連論文

• 21aHS-4 球面収差補正STEM像の結像に及ぼす色収差係数の影響(21aHS X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aHS-5 高分解能プラズモンロス像の計算方法とその応用(21aHS X線・粒子(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pRE-8 球面収差補正電磁レンズの色収差係数測定方法(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 球面収差補正STEMによる原子分解能評価 (特集 富士通プロダクトを支える分析・解析技術)
• 26aYK-5 高分解能HAADF STEM像における検出角度と像強度の依存性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 多変量解析を応用した高分解能電子顕微鏡像のノイズ処理(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
• 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
• 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
• 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
• Bi系高温超伝導体の低磁場領域における磁化曲線
• Bi_2Sr_2CaCu_2O_yの混合状態における磁化と熱容量
• 29a-L-8 パルス法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_のC軸方向の電流電圧特性
• 28p-PSA-41 ヨウ素インターカレーション化合物IBi_2Sr_2CaCu_2O_yの^Iメスバウアー効果II
• 12p-PSA-15 ヨウ素インターカレーション化合物IBi_2Sr_2CaCu_2O_yの^Iメスバウアー効果
• エチレングリコールを混合したZnCl_2-NiCl_2-EMIC常温型溶融塩浴を用いたクラックフリーアモルファスZn-Ni合金の電析
• 有機溶媒添加ZnCl_2-NiCl_2-EMIC常温型溶融塩浴を用いたクラックフリー非晶質Zn-Ni合金の電析
• Energy-unfiltered CBED による局所歪場の測定
• 半導体セラミックス材料の粒界観察
• B-2 揚力の取り扱いとベルヌーイの原理(分科B:「実験開発」)
• 25pWZ-5 プラズモンロスに空間分布を有するSTEM-EELS像の計算(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27aRB-1 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pWA-2 Co_3O_4におけるHAADF STEM像の像形成について(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pWA-1 Layer-by-layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算II(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
• 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
• 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
• 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 26aYK-6 高分解能HAADF STEM像に及ぼすnon-local吸収ポテンシャルの影響(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRE-1 多層構造の高分解能plan-view HAADF STEM像の計算(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
• 22pXB-11 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化 II
• 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
• 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
• 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• STEM像の解釈(2)
• STEM像の解釈(1)
• 領域10「最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき」(2007年春季大会シンポジウムの報告)
• 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-5 3次元Bloch波を用いたRHEED計算法の開発(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXM-5 欠陥を含んだ高分解能STEM像計算の高速化(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
• 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 30pXD-9 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化
• 30pXD-8 界面を含む HAADF STEM 像の画像処理
• 30pXD-7 HAADF STEM 像による Si/SiO_2 の構造解析 II
• 18pTH-8 新しいHAADF STEM像計算のconvolution表示II
• 22pXB-4 Structural and compositional analysis of planer faults in XO-doped SrTiO_3 (X=Sr, Ca, Ba)
• 18pTH-7 HAADF STEM像はconvolution表示できるのか?
• 28aXM-9 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法II(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXB-4 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法
• 21aXA-11 ZnO amorphous 中に含まれる ZnO 多重双晶微粒子の解析
• 28pYG-1 Bi_2O_3 を添加した ZnO の界面構造
• 28pTJ-1 BaTiO_3の構造と欠陥評価(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-10 ZernikeモーメントとCBED像を用いた歪み解析法の提案(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-18 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTN-11 高分解能HAADF STEM像による定量解析における熱散漫散乱の非局在効果(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-6 チタン酸バリウムの構造観察(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-7 HAADF STEM像計算における非局所吸収ポテンシャルの重要性(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-8 収束電子線が励起する結晶中の波動場における色収差係数の影響(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-2 高角度明視野走査透過電子顕微鏡像の検出器位置の精密測定とその影響(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aCL-1 高分解能明視野STEM像のBloch波による解析(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-4 MABFとHAADF-STEM同時観察による軽元素化合物材料の原子構造評価(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-5 円板状明視野検出器による軽元素検出STEM結像法(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aAG-3 Bloch波法によるFrozen lattice計算とその応用(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク