13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2004-08-25

著者

• 橋本 巌

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 倉持 幸治

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 伊坂 朋子

  東理大理

関連論文

• 30a-T-6 加工したアルミニウムの回復におよぼす不純物原子の影響
• Ca-Mg合金クラスター(会合体)の四重極質量分析計による測定
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
• 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
• 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
• 28a-P-7 収束電子線回折法によるSi中の不純物原子濃度の決定
• 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
• 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
• 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-3 格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-2 熱散漫散乱(TDS)効果の多波動力学による計算手法
• 29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
• 29a-ZB-12 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-10 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
• 30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
• 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
• 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
• 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
• 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
• 21pWA-2 Co_3O_4におけるHAADF STEM像の像形成について(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pWA-1 Layer-by-layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算II(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
• 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
• 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 30p-RC-3 Al 中の転位への Ge の析出
• 1p-KL-5 β黄銅中の内部摩擦
• 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
• 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• HAADF-STEMによるSi中の不純物As原子の2次元分布の測定
• 27aYA-5 HAADF-STEMによるイオン打ち込みしたSi中のAs原子の同定
• 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
• 28p-XJ-3 動力学計算を用いた格子定数測定法の改善
• 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
• 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
• 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
• CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
• 26p-T-2 β-黄銅中の逆位相境界近傍でのボイドの消滅
• 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
• 22pXB-11 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化 II
• 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
• 5a-YG-12 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度および変形量依存II
• 29a-P-5 Zn拡散によってGaAs中に誘起される格子欠陥
• 14a-DK-9 低温加工したAl希薄合金の回復ステージII_Aの変形量依存性
• 1a-D-6 Kr照射したAl中のKrバブルの焼純効果II
• 28a-H-10 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 III
• 30a-K-5 低温加工したAlのステージIIの主回復ピーク
• 30a-K-4 低温加工したAlのステージII_Aの焼鈍時間依存
• 5a-Z-5 Al中のHeバブルのランダム運動
• 3a-Z-7 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復と不純物原子
• 22aYH-3 Si(011)のスルーフォーカスHAADF-STEM像
• 22aYH-2 HAADF-STEM像の計算手法
• 24aZL-9 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定 II
• 27aYA-3 高分解能HAADF-STEM像による不純物濃度決定の簡単な計算手法
• 21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29p-RC-7 Kr照射されたAl中のバブルの性質 (II)
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXM-5 欠陥を含んだ高分解能STEM像計算の高速化(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
• 28p-XJ-4 動力学的HOLZ計算の新手法
• 30p-YC-2 HOLZ lineを用いたイオン打ち込みされたSi中のself-interstitialの解析
• Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性
• 3a-M-13 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物III
• 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II
• 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28a-H-14 急冷Alの二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響 II
• 3a-SG-9 急冷Al中の二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響
• 5a-Q-6 X線検出器方向に対するkファクターの結晶方位依存
• 29a-J-5 Si(001)面のRHEED振動モードの解析
• 27aYA-1 Si(001)RHEED rocking curveのpeakの起源
• 25a-K-12 2次元Bloch波を用いたSi(111)7x7からのRHEED rocking curveの解析II
• 30p-YC-1 2次元Bloch液を用いた、Si(111)7x7表面からのRHEED Rocking Curveの解析
• 5a-H-7 RHEEDにおける2次元Bloch波を用いた波動場計算
• Si中のサーマルドナーによるX線散漫散乱
• 5a-YG-11 Al希薄合金中の析出物の冷却速度依存性II
• 31a-P-8 Al希薄合金中の折出物の冷却速度依存性
• 1a-D-1 Al単結晶中の微量不純物原子の析出II
• 28a-H-6 Al単結晶中の微量不純物原子の析出
• 30p-F-7 低温加工したアルミニウムのステージIIでの回復におよぼす不純物原子の影響
• 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク