28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 橋本 巌

  東理大理

• 奥西 栄治

  日本電子(株)

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 中西 伸登

  東理大理

• 菊地 吉男

  MIRAIプロジェクト

• 橋本 巖

  東理大理

• 菊地 吉男

  ASET

• 奥西 栄治

  日本電子:jst-crest

• 奥西 栄治

  日本電子

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