20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 2007-02-28

著者

• 橋本 巌

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 橋本 巌

  東理大物理

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 倉持 幸治

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 尾崎 優子

  東理大理

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