橋本 巖 | 東理大理
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概要
関連著者
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橋本 巖
東理大理
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渡辺 和人
都立産技高専
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橋本 巌
東理大理
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山崎 貴司
東理大理
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渡辺 和人
都立高専
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倉持 幸治
東理大理
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山崎 貴司
富士通研究所
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中西 伸登
東理大理
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橋本 巌
東理大物理
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山口 弘之
東理大理
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渡辺 和人
東京都立工業高等専門学校
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大塚 真弘
東理大理
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吉田 〓
広島工大
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橋本 巖
東理大 理
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小高 康稔
富士通研究所
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渡辺 和人
産業技術高専
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小高 康稔
東大工
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山崎 貴司
東京理科大学 理学部
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MIRAIプロジェクト
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吉田 〓
東理大 理
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東理大理
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東理大 (理) 物質
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日本電子(株)
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東理大理
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東理大・理工
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東理大・理
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東理大理
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農工大教養
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東理大諏訪短大
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春山 修身
東理大 理
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齋藤 隆
東京理大諏訪短大
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吉田 〓
東理大 (理) 物質
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橋本 巖
東理大・理
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奥西 栄治
日本電子
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山崎 貴司
富士通研
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山口 弘之
東理大
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浅野 英司
東理大理
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岩木 正哉
理研
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本間 芳和
東理大理
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山崎 青司
東理大理
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小高 廣稔
富士通研
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菊地 吉男
半導体MIRAIプロジェクト
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塩尻 詢
金沢医大
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三石 和貴
東理大理
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八木 栄一
理研
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東理大理
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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塩尻 詢
金沢医大・解剖1
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東理大理
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鈴木 謙太郎
東理大理
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渡邉 琢哉
東理大理
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中村 和彦
Tme
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草部 一秀
東理大理
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原 真也
東理大理
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菊地 吉男
ASET
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伊野家 浩司
Fei Company Japan
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尾崎 優子
東理大理
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Hsu J.
台湾国立研究所
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Yang J.
台湾大学
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伊坂 朋子
東理大理
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堀尾 吉巳
大同工大
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三谷 純一
東理大理
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山村 一誠
東大理
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中村 和彦
東芝メディカルエンジニアリング
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草部 一秀
東理大応用理
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金沢医大:京工繊大
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堀尾 吉巳
大同工大工
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山本 健一
東理大理
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新倉 高一
東理大理物理
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木村 吉志
東理大理
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東理大理
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日本アイビーエム情報ソリューション
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飯田 正明
東理大・理
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新倉 高一
東理大・理
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吉田 〓
東大工
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加藤 大樹
東理大理
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石井 みき
東理大理
著作論文
- 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aRB-1 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
- 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
- 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
- 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 27pRE-1 多層構造の高分解能plan-view HAADF STEM像の計算(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
- 22pXB-11 Kr のイオン打ち込みに伴う Si の構造変化 II
- 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
- 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
- 24aZL-6 RHEED rocking curveのpeakの起源 II
- 30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
- 27p-ZN-6 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 II
- 27p-ZN-5 低温加工したAl希薄合金の回復ステージIIの焼純時間依存
- 3p-M-11 転位ループの消滅におよぼす転位間相互作用の影響
- 3a-M-10 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 27p-ZN-4 Cu_3Au中の逆位相境界近傍でのボイドの消滅 II
- 24aY-5 FT-IRを用いたCz-Si中の熱ドナーの観察
- 23aY-2 MoおよびSi中のKrバブルのTEM観察
- 27a-ZB-6 高分解能電子顕微鏡像の多波動力学計算 II
- 3p-NJ-15 急冷β-黄銅の電気抵抗の回復
- 3p-NJ-14 β-黄銅中の二次欠陥の性状におよぼす急冷温度の影響
- 2p GN-1 α-黄銅単結晶の成長軸の亜鉛濃度依存
- 4p-KM-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥と転位の相互作用
- 27pTJ-18 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTN-11 高分解能HAADF STEM像による定量解析における熱散漫散乱の非局在効果(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aJA-7 HAADF STEM像計算における非局所吸収ポテンシャルの重要性(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aCL-1 高分解能明視野STEM像のBloch波による解析(27aCL X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aAG-3 Bloch波法によるFrozen lattice計算とその応用(21aAG X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 7aSK-11 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化II(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 26pKA-5 アルミナ微粒子に対するHF-CVD反応の温度効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))