30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
30a-T-6 加工したアルミニウムの回復におよぼす不純物原子の影響
-
31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
-
30aXD-2 イオン照射ポリスチレン表面の機械的物性の測定(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
21pYQ-9 イオン照射ポリスチレンの表面改質効果(X線・粒子線(コンプトン散乱・陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
高濃度金属イオン注入した高分子表面の摩擦特性
-
18aYF-2 ポリスチレン中での高線量注入におけるアルカリ金属原子の表面偏斥II
-
イオンビームによる生体用ポリマーの表面改質
-
Na+イオン注入した高分子材料の親水性とXPSによる表面分析 (特集/イオンビ-ムと表面・表層・界面のかかわり(6))
-
イオンビームを照射した抗血栓性高分子を基材とするハイブリッド人工血管の研究
-
3次元電子顕微鏡の開発
-
29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
-
28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
-
30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
-
24a-Q-1 InP、InAs、InSbの格子像について II
-
2a-TA-1 InP、InAsの格子像について
-
31a-TJ-3 多波動力学における結晶ポテンシャルの評価
-
イオンビーム照射により組織適合性を改善したePTFE人工硬膜臨床応用
-
イオン注入法を用いる多孔質PTFE膜の改質による電気化学的センサの改良
-
30aXD-3 ポリマー中のポジトロニウム生成に対するイオン照射の効果(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
26pYS-4 イオン照射によるポリ乳酸の質量変化と効果(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
イオンビーム照射したePTFEの脳外科領域での応用
-
走査透過電子顕微鏡による微細構造の3次元観察と元素/化学結合状態マッピング先端技術(磁性に関連したセンシング技術の広がりとその最前線)
-
30p-RC-3 Al 中の転位への Ge の析出
-
1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
-
3p-C-2 β黄銅の内部摩擦II
-
1p-KL-5 β黄銅中の内部摩擦
-
289 注入元素の分布と 2・3 の表面特性 : 軟鋼板へのイオン注入の応用第 1 報(ステンレス鋼 (II)・腐食, 性質, 日本鉄鋼協会第 92 回(秋季)講演大会)
-
26pYS-6 陽電子衝撃によるIn及びSnのL-X線生成断面積の測定(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
26p-T-2 β-黄銅中の逆位相境界近傍でのボイドの消滅
-
5a-YG-12 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度および変形量依存II
-
31a-P-4 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度及び変形量依存
-
29a-P-5 Zn拡散によってGaAs中に誘起される格子欠陥
-
14a-DK-9 低温加工したAl希薄合金の回復ステージII_Aの変形量依存性
-
1a-D-6 Kr照射したAl中のKrバブルの焼純効果II
-
28a-H-10 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 III
-
30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
-
27p-ZN-6 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 II
-
27p-ZN-5 低温加工したAl希薄合金の回復ステージIIの焼純時間依存
-
30a-K-5 低温加工したAlのステージIIの主回復ピーク
-
30a-K-4 低温加工したAlのステージII_Aの焼鈍時間依存
-
2a-TA-2 Si中のVacancy及び不純物原子の格子像
-
5a-Z-5 Al中のHeバブルのランダム運動
-
3a-Z-7 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復と不純物原子
-
P060 染色体特定部位DSBの修復 : 低線量/低線量率ガンマ線照射による影響(ポスターセッション)
-
イオンビーム照射による薄膜と細胞シートの形成
-
ダイヤモンドライクカーボンのキャラクタリゼーションと電気化学的特性
-
イオン注入により改質した炭素材の表層物性と電気化学的性質 (表面・界面の機能化(論文特集))
-
イオンビーム励起によるCeイオン注入α-AI_2O_3の発光特性
-
Ceイオン注入α-Al2O3の発光に及ぼす熱処理の効果 (第15回イオン注入表層処理シンポジウム)
-
29p-A-6 化合物半導体の等厚干渉縞におけるスクリーニングの効果
-
31a-TJ-2 化合物半導体の格子像 (2)
-
6p-W-3 化合物半導体の(100)格子像
-
6p-B5-4 化合物半導体の(110)格子像
-
6p-B5-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算III
-
29p-A-5 格子欠陥の高分解能電子顕微鏡像の計算
-
28a-K-11 AL中のKrの挙動
-
29p-RC-7 Kr照射されたAl中のバブルの性質 (II)
-
30a-T-7 過剰原子空孔の集積過程(II)
-
4a-L-4 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥 II
-
7p-Q-11 急冷Al中の二次欠陥の形成におよぼす微量のSi,Cu原子の影響
-
7a-M-10 急冷Al中のdislocation loop形成に及ぼす不純物原子の影響
-
28a-H-14 急冷Alの二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響 II
-
3a-SG-9 急冷Al中の二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響
-
5a-Q-6 X線検出器方向に対するkファクターの結晶方位依存
-
3a-P-8 急冷α-黄銅中の二次欠陥形成への亜鉛濃度依存
-
11p-P-5 異種二次欠陥の形成消滅の温度依存
-
11p-P-2 急冷f.c.c.金属中の転位ループ列の形成機構
-
7a-M-12 急冷した純銅およびα-黄銅中の二次欠陥
-
11p-N-4 急冷α-黄銅中の二次欠陥の種類の組成依存
-
30p-F-7 低温加工したアルミニウムのステージIIでの回復におよぼす不純物原子の影響
-
6p-A3-3 急令β-黄銅中のボイドの形態
-
28p-K-10 急冷β-黄銅中のボイド
-
3a-N-9 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす、Charge electronのScreeningの効果
-
1a-M-9 β-黄銅の規則化と原子空孔との絡み
-
1a-M-8 変形したAlのステージIIのサブステージ
-
1a-M-5 Si結晶中のintrinsic divacancyの電子状態
-
3p-C-6 Cu中のdivacancyとtrivacancyの高分解能電子顕微鏡像
-
3p-C-3 β-黄銅における電気抵抗の急冷温度依存II
-
11p-P-4 アルミニウムの急冷途上における抵抗変化I
-
11p-P-3 薄膜中の二次欠陥の相対位置決定法,及びその応用
-
11p-N-3 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
-
10p-N-13 急冷Al中のフランク転移ループにそうパイプ拡散
-
3p-M-11 転位ループの消滅におよぼす転位間相互作用の影響
-
3a-M-10 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
-
4p-KM-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥と転位の相互作用
-
7p-Q-12 急冷銅中の転位ループ列の形成
-
12a-K-5 急冷β-黄銅中の逆位相境界近傍での付加的原子変位
-
3a-CE-10 転位の拡張幅に及ぼす表面効果
-
1p-M3-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法II(X線・粒子線)
-
30a-EB-4 ZnSeの高分解能電子顕微鏡像(X線・粒子線)
-
30a-EB-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法(X線・粒子線)
-
2p-A3-9 Cu中のinterstitial及び、大きく変位した原子の高分解能電子顕微鏡像(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)
-
29p-FA-3 Siの空孔による格子緩和(29p FA 格子欠陥)
-
29a-FA-9 急冷β-黄銅の電気抵抗率の焼鈍効果(29a FA 格子欠陥)
-
31a-TH-1 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算 IV(31aTH X線・粒子線)
-
31p-A3-1 Siの高分解能電子顕微鏡像に及ぼすcharge densityの効果(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
-
1p-CF-4 化合物半導体の高分解能電子顕微鏡像に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
-
1p-CF-5 結晶ポテンシャル及び,X線の原子散乱因子に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
-
3a-A3-10 Si結晶中のIntrinsic Vacancyの電子状態(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
-
1a-FA-6 Kr照射されたAl中のバブルの性質(1a FA 格子欠陥)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク