28p-K-10 急冷β-黄銅中のボイド
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-09-16
著者
関連論文
- 30a-T-6 加工したアルミニウムの回復におよぼす不純物原子の影響
- 29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
- 28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
- 30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
- 24a-Q-1 InP、InAs、InSbの格子像について II
- 2a-TA-1 InP、InAsの格子像について
- 31a-TJ-3 多波動力学における結晶ポテンシャルの評価
- 30p-RC-3 Al 中の転位への Ge の析出
- 1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
- 3p-C-2 β黄銅の内部摩擦II
- 1p-KL-9 変形したAl中の点欠陥のステージIIにおける回復
- 1p-KL-5 β黄銅中の内部摩擦
- 26p-T-2 β-黄銅中の逆位相境界近傍でのボイドの消滅
- 5a-YG-12 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度および変形量依存II
- 31a-P-4 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度及び変形量依存
- 29a-P-5 Zn拡散によってGaAs中に誘起される格子欠陥
- 14a-DK-9 低温加工したAl希薄合金の回復ステージII_Aの変形量依存性
- 1a-D-6 Kr照射したAl中のKrバブルの焼純効果II
- 28a-H-10 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 III
- 30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
- 27p-ZN-6 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 II
- 27p-ZN-5 低温加工したAl希薄合金の回復ステージIIの焼純時間依存
- 30a-K-5 低温加工したAlのステージIIの主回復ピーク
- 30a-K-4 低温加工したAlのステージII_Aの焼鈍時間依存
- 2a-TA-2 Si中のVacancy及び不純物原子の格子像
- 5a-Z-5 Al中のHeバブルのランダム運動
- 3a-Z-7 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復と不純物原子
- 29p-A-6 化合物半導体の等厚干渉縞におけるスクリーニングの効果
- 31a-TJ-2 化合物半導体の格子像 (2)
- 6p-W-3 化合物半導体の(100)格子像
- 6p-B5-4 化合物半導体の(110)格子像
- 6p-B5-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算III
- 29p-A-5 格子欠陥の高分解能電子顕微鏡像の計算
- 29p-RC-7 Kr照射されたAl中のバブルの性質 (II)
- 30a-T-7 過剰原子空孔の集積過程(II)
- 4a-L-4 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥 II
- 30a-J-9 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥
- 7p-Q-11 急冷Al中の二次欠陥の形成におよぼす微量のSi,Cu原子の影響
- 7a-M-10 急冷Al中のdislocation loop形成に及ぼす不純物原子の影響
- 28a-H-14 急冷Alの二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響 II
- 3a-SG-9 急冷Al中の二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響
- 5a-Q-6 X線検出器方向に対するkファクターの結晶方位依存
- 3a-P-8 急冷α-黄銅中の二次欠陥形成への亜鉛濃度依存
- 11p-P-5 異種二次欠陥の形成消滅の温度依存
- 11p-P-2 急冷f.c.c.金属中の転位ループ列の形成機構
- 7a-M-12 急冷した純銅およびα-黄銅中の二次欠陥
- 11p-N-4 急冷α-黄銅中の二次欠陥の種類の組成依存
- 30p-F-7 低温加工したアルミニウムのステージIIでの回復におよぼす不純物原子の影響
- 6p-A3-3 急令β-黄銅中のボイドの形態
- 28p-K-10 急冷β-黄銅中のボイド
- 3a-N-9 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす、Charge electronのScreeningの効果
- 1a-M-9 β-黄銅の規則化と原子空孔との絡み
- 1a-M-8 変形したAlのステージIIのサブステージ
- 1a-M-5 Si結晶中のintrinsic divacancyの電子状態
- 3p-C-6 Cu中のdivacancyとtrivacancyの高分解能電子顕微鏡像
- 3p-C-3 β-黄銅における電気抵抗の急冷温度依存II
- 5a-P-2 加工したAlの電気抵抗の回復 III
- 2p GJ-2 転位ループ間相互作用からみたパイプ拡散の活性化エネルギ
- 31p GJ-10 アルミニウムの加工直後の電気抵抗の異常回復 II
- 11p-P-4 アルミニウムの急冷途上における抵抗変化I
- 11p-P-3 薄膜中の二次欠陥の相対位置決定法,及びその応用
- 11p-N-3 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 10p-N-13 急冷Al中のフランク転移ループにそうパイプ拡散
- 3p-M-11 転位ループの消滅におよぼす転位間相互作用の影響
- 3a-M-10 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 3p-NJ-15 急冷β-黄銅の電気抵抗の回復
- 3p-NJ-14 β-黄銅中の二次欠陥の性状におよぼす急冷温度の影響
- 4p-KM-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥と転位の相互作用
- 4a-L-7 急冷β-黄銅の電気抵抗の回復
- 7p-Q-12 急冷銅中の転位ループ列の形成
- 12a-K-4 β-黄銅における電気抵抗の急冷温度依存
- 1p-KL-4 β-黄銅中の逆位相境界の方位依存
- 12a-K-5 急冷β-黄銅中の逆位相境界近傍での付加的原子変位
- 3a-CE-10 転位の拡張幅に及ぼす表面効果
- 1p-M3-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法II(X線・粒子線)
- 30a-EB-4 ZnSeの高分解能電子顕微鏡像(X線・粒子線)
- 30a-EB-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法(X線・粒子線)
- 2p-A3-9 Cu中のinterstitial及び、大きく変位した原子の高分解能電子顕微鏡像(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 29p-FA-3 Siの空孔による格子緩和(29p FA 格子欠陥)
- 29a-FA-9 急冷β-黄銅の電気抵抗率の焼鈍効果(29a FA 格子欠陥)
- 31a-TH-1 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算 IV(31aTH X線・粒子線)
- 31p-A3-1 Siの高分解能電子顕微鏡像に及ぼすcharge densityの効果(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
- 1p-CF-4 化合物半導体の高分解能電子顕微鏡像に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
- 1p-CF-5 結晶ポテンシャル及び,X線の原子散乱因子に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
- 3a-A3-10 Si結晶中のIntrinsic Vacancyの電子状態(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 1a-FA-6 Kr照射されたAl中のバブルの性質(1a FA 格子欠陥)