3a-N-9 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす、Charge electronのScreeningの効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1985-09-13

著者

• 山口 弘之

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 菊池 吉男

  東理大理

関連論文

• 30a-T-6 加工したアルミニウムの回復におよぼす不純物原子の影響
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
• 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
• 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
• 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
• 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
• 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
• 28a-P-7 収束電子線回折法によるSi中の不純物原子濃度の決定
• 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
• 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
• 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-3 格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-2 熱散漫散乱(TDS)効果の多波動力学による計算手法
• 29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
• 29a-ZB-12 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-10 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
• 30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
• 24a-Q-1 InP、InAs、InSbの格子像について II
• 2a-TA-1 InP、InAsの格子像について
• 31a-TJ-3 多波動力学における結晶ポテンシャルの評価
• 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
• 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
• 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
• B-2 揚力の取り扱いとベルヌーイの原理(分科B:「実験開発」)
• 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30p-RC-3 Al 中の転位への Ge の析出
• 1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
• 3p-C-2 β黄銅の内部摩擦II
• 1p-KL-5 β黄銅中の内部摩擦
• 26p-T-2 β-黄銅中の逆位相境界近傍でのボイドの消滅
• 5a-YG-12 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度および変形量依存II
• 31a-P-4 低温加工したAlの回復ステージII_Aの不純物濃度及び変形量依存
• 29a-P-5 Zn拡散によってGaAs中に誘起される格子欠陥
• 14a-DK-9 低温加工したAl希薄合金の回復ステージII_Aの変形量依存性
• 1a-D-6 Kr照射したAl中のKrバブルの焼純効果II
• 28a-H-10 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 III
• 30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
• 27p-ZN-6 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復におよぼす不純物原子の影響 II
• 27p-ZN-5 低温加工したAl希薄合金の回復ステージIIの焼純時間依存
• 30a-K-5 低温加工したAlのステージIIの主回復ピーク
• 30a-K-4 低温加工したAlのステージII_Aの焼鈍時間依存
• 2a-TA-2 Si中のVacancy及び不純物原子の格子像
• 5a-Z-5 Al中のHeバブルのランダム運動
• 3a-Z-7 低温加工したアルミニウムのステージIIの回復と不純物原子
• 29p-A-6 化合物半導体の等厚干渉縞におけるスクリーニングの効果
• 31a-TJ-2 化合物半導体の格子像 (2)
• 6p-W-3 化合物半導体の(100)格子像
• 6p-B5-4 化合物半導体の(110)格子像
• 6p-B5-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算III
• 29p-A-5 格子欠陥の高分解能電子顕微鏡像の計算
• 29p-RC-7 Kr照射されたAl中のバブルの性質 (II)
• 30a-T-7 過剰原子空孔の集積過程(II)
• 4a-L-4 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥 II
• 7p-Q-11 急冷Al中の二次欠陥の形成におよぼす微量のSi,Cu原子の影響
• 7a-M-10 急冷Al中のdislocation loop形成に及ぼす不純物原子の影響
• 28a-H-14 急冷Alの二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響 II
• 3a-SG-9 急冷Al中の二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響
• 5a-Q-6 X線検出器方向に対するkファクターの結晶方位依存
• 3a-P-8 急冷α-黄銅中の二次欠陥形成への亜鉛濃度依存
• 11p-P-5 異種二次欠陥の形成消滅の温度依存
• 11p-P-2 急冷f.c.c.金属中の転位ループ列の形成機構
• 7a-M-12 急冷した純銅およびα-黄銅中の二次欠陥
• 11p-N-4 急冷α-黄銅中の二次欠陥の種類の組成依存
• 30p-F-7 低温加工したアルミニウムのステージIIでの回復におよぼす不純物原子の影響
• 6p-A3-3 急令β-黄銅中のボイドの形態
• 28p-K-10 急冷β-黄銅中のボイド
• 3a-N-9 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす、Charge electronのScreeningの効果
• 1a-M-9 β-黄銅の規則化と原子空孔との絡み
• 1a-M-8 変形したAlのステージIIのサブステージ
• 1a-M-5 Si結晶中のintrinsic divacancyの電子状態
• 3p-C-6 Cu中のdivacancyとtrivacancyの高分解能電子顕微鏡像
• 3p-C-3 β-黄銅における電気抵抗の急冷温度依存II
• 11p-P-4 アルミニウムの急冷途上における抵抗変化I
• 11p-P-3 薄膜中の二次欠陥の相対位置決定法,及びその応用
• 11p-N-3 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
• 10p-N-13 急冷Al中のフランク転移ループにそうパイプ拡散
• 3p-M-11 転位ループの消滅におよぼす転位間相互作用の影響
• 3a-M-10 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
• 4p-KM-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥と転位の相互作用
• 7p-Q-12 急冷銅中の転位ループ列の形成
• 12a-K-5 急冷β-黄銅中の逆位相境界近傍での付加的原子変位
• 3a-CE-10 転位の拡張幅に及ぼす表面効果
• 1p-M3-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法II(X線・粒子線)
• 30a-EB-4 ZnSeの高分解能電子顕微鏡像(X線・粒子線)
• 30a-EB-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算方法(X線・粒子線)
• 2p-A3-9 Cu中のinterstitial及び、大きく変位した原子の高分解能電子顕微鏡像(2p A3 格子欠陥,格子欠陥)
• 29p-FA-3 Siの空孔による格子緩和(29p FA 格子欠陥)
• 29a-FA-9 急冷β-黄銅の電気抵抗率の焼鈍効果(29a FA 格子欠陥)
• 31a-TH-1 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算 IV(31aTH X線・粒子線)
• 31p-A3-1 Siの高分解能電子顕微鏡像に及ぼすcharge densityの効果(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
• 1p-CF-4 化合物半導体の高分解能電子顕微鏡像に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
• 1p-CF-5 結晶ポテンシャル及び,X線の原子散乱因子に及ぼすscreeningの効果(1p CF X線・粒子線)
• 3a-A3-10 Si結晶中のIntrinsic Vacancyの電子状態(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
• 1a-FA-6 Kr照射されたAl中のバブルの性質(1a FA 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク