加藤 大樹 | 東理大理
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概要
関連著者
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加藤 大樹
東理大理
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山田 太郎
理研
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須藤 彰三
東北大院理
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松下 ステファン悠
東北大院理
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橋本 巌
東理大理
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加藤 大樹
東北大院理
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東北大学際
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東理大理
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東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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田岡 琢己
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田岡 琢巳
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東理大理
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松井 一記
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岡 義人
東理大理
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川添 良幸
東北大金研
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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瀧川 知昭
東北大院理
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中矢 博樹
東北大院理
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学際セ
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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東北大学国際高等融合領域研究機構
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芳賀 健也
東北大院理
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高田 弘樹
東北大院理
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新村 紘和
東北大院理
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Murugan P.
東北大金研
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松下 ステファン
東北大院理
著作論文
- 28pTJ-1 BaTiO_3の構造と欠陥評価(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-6 チタン酸バリウムの構造観察(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGQ-4 HF-CVD反応を用いて作製したナノアルミナ微粒子のTEM評価(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pCL-4 HF-CVD反応におけるAl粒子の構造評価(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pKA-5 アルミナ微粒子に対するHF-CVD反応の温度効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))