高松 広輝 | 東理大理
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概要
関連著者
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高松 広輝
東理大理
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橋本 巌
東理大理
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渡辺 和人
都立産技高専
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加藤 大樹
東北大院理
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渡辺 和人
東京都立工業高等専門学校
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橋本 巖
東理大理
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大塚 真弘
東理大理
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加藤 大樹
東理大理
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岡 義人
東理大理
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倉持 幸治
東理大理
著作論文
- 27aRB-1 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pTJ-1 BaTiO_3の構造と欠陥評価(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-18 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-6 チタン酸バリウムの構造観察(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))