加藤 大樹 | 東北大院理
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概要
関連著者
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加藤 大樹
東北大院理
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須藤 彰三
東北大院理
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粕谷 厚生
学際セ
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山田 太郎
理研
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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田岡 琢巳
東北大院理
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Czajka R.
学際セ
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永島 幸延
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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Wawro A.
学際セ
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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粕谷 厚生
東北大学際
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Czajka R.
Poznan Univ. of Tech. (Poland)
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加藤 大樹
東理大理
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橋本 巌
東理大理
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中矢 博樹
東北大院理
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Wawro A.
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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早川 美徳
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大融合研
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山田 太郎
学際セ
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本谷 宗
学際セ
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志波 晃子
東北大院理
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大塚 真弘
東理大理
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高松 広輝
東理大理
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松井 一記
東北大院理
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松下 ステファン悠
東北大院理
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高田 弘樹
東北大院理
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岡 義人
東理大理
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東北大・金研
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東北大金研
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瀧川 知昭
東北大院理
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田岡 琢己
東北大院理
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金研
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金研
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金研
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Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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Czajka R.
東北大院理
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北大低温研:jst-さきがけ
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Osiecki J.
東北大院理
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田鎖 幸樹
東北大院理
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鈴木 千里
東北大院理
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八田 振一郎
東北大院理
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Osiecki Jacek
Linkoping大
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巾嶋 一雄
東北大・金研
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加藤 大樹
東理大
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佐〓 元
東北大学・金研
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西方 督
徳島大学工学部
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佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
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石井 みき
東理大理
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中嶋 一雄
京都大
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Wawro A.
Polish Academy of Science
著作論文
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 13pXF-7 VT-STM による H/Si(111)1×1 表面上の Ag クラスターの成長過程 II(微粒子・クラスタ, 領域 9)
- 30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 27aWR-1 VT-STMによるH/Si(111)1×1表面上のAgクラスターの成長過程(微粒子・クラスタ)(領域9)
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTJ-1 BaTiO_3の構造と欠陥評価(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-6 チタン酸バリウムの構造観察(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGQ-4 HF-CVD反応を用いて作製したナノアルミナ微粒子のTEM評価(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))