山田 太郎 | 理研
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概要
関連著者
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山田 太郎
理研
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須藤 彰三
東北大院理
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粕谷 厚生
学際セ
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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加藤 大樹
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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田岡 琢巳
東北大院理
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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松下 ステファン悠
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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Czajka R.
学際セ
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永島 幸延
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大学際
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加藤 大樹
東理大理
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花栗 哲郎
理研
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Wawro A.
学際セ
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花栗 哲郎
独立行政法人理化学研究所基幹研究所高木磁性研究室
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瀧川 知昭
東北大院理
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中矢 博樹
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大融合研
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Czajka R.
Poznan Univ. of Tech. (Poland)
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川本 絵里奈
東北大院理
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高木 英典
理研
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吉田 良行
産総研
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吉田 良行
産総研エレ
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田岡 琢己
東北大院理
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本谷 宗
学際セ
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Wawro A.
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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早川 美徳
東北大院理
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志波 晃子
東北大院理
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松井 一記
東北大院理
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新村 紘和
東北大院理
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山田 太郎
独立行政法人理化学研究所
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川添 良幸
東北大金研
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高木 英典
東大院新領域 工
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小野 雅紀
東大物性研
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高木 英典
理化学研究所
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高木 秀典
東大物性研
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佐藤 誠一
東大院新領域
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小野 雅紀
理研
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佐藤 誠一
理研:東大新領域
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粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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山田 太郎
学際セ
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Czajka R.
東北大院理
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Takagi Hidenori
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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高木 英典
理研:東北大多元研:東大新領域
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芳賀 健也
東北大院理
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高田 弘樹
東北大院理
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新高 誠司
理研
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飯高 敏晃
理化学研究所
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山田 佑自
千葉大院理
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川合 真紀
東大新領域
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飯高 敏晃
理研基幹研
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佐崎 元
東北大・金研
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川合 眞紀
東大新領域:理研
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川合 眞紀
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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松永 宗一郎
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
-
松永 宗一郎
東大新領域
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加藤 浩之
理研
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永田 潔文
福岡大学理学部
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香取 浩子
理研
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岩谷 克也
東北大WPI-AIMR
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池田 伸一
産総研
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飯高 敏晃
理研
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中嶋 一雄
東北大金研
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新高 誠司
理化学研究所
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池田 伸一
産総研エレクトロニクス
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吉田 良行
千葉大院理
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坪井 紀子
理研
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小澤 秀樹
阪大理
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木村 大介
東北大院理
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Murgan P.
東北大金研
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西方 督
金研
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佐崎 元
金研
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中嶋 一雄
金研
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岩谷 克也
理研
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本谷 宗
東北大学際セ
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田岡 琢巳
東北大理
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須藤 彰三
東北大理
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伊藤 隆
東北大学際セ
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Wawro A.
Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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伊藤 隆
Center For Interdisciplinary Research And Graduate School Of Engineering Tohoku University
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Toyoda Haruhisa
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
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坪井 紀子
理研:jst-crest
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鈴木 千里
東北大院理
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八田 振一郎
東北大院理
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永田 潔文
福岡大・理
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川添 良幸
東北大学
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匠 正治
福岡大・理
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Takagi Hidenori
Engineering Research Institute Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Takagi Hidenori
Department Of Advanced Materials Science University Of Tokyo
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池田 伸一
中央大理工
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巾嶋 一雄
東北大・金研
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小澤 秀樹
東大工
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加藤 大樹
東理大
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川合 真紀
理研:東大新領域
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匠 正治
福岡大学理学部
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山田 太郎
福岡大・理
-
武田 在満
福岡大・理
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Nishimura H.
福岡大・理
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佐〓 元
東北大学・金研
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西方 督
徳島大学工学部
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佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
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香取 浩子
東京農工大工
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池田 伸一
産総研エレ
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永田 潔文
福岡大学理学部物理科学科
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川合 眞紀
東大新領域
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中嶋 一雄
京都大
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鈴木 貴幸
東北大院理
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姜 正敏
東北大院理
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梅津 新
東北大院理
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Murugan P.
東北大金研
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Wawro A.
Polish Academy of Science
-
松下 ステファン
東北大院理
著作論文
- 20pGQ-11 高周波測定対応STMと表面電子スピン検出(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aRK-10 STMによる流動モデル細胞膜のナノスケール観測(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aQF-13 Sr_3Ru_2O_7に対する不純物効果の観察(21aQF 秩序型酸化物・Ru酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aYG-11 高周波測定対応STMの開発と表面電子スピンの検出について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pZL-15 STM/STSによるSr_3(Ru,Mn)_2O_7の局所電子状態観察(24pZL Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTC-7 STM/STSによる高純度Sr_3Ru_2O_7の電子状態観察(27aTC Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 13pXF-7 VT-STM による H/Si(111)1×1 表面上の Ag クラスターの成長過程 II(微粒子・クラスタ, 領域 9)
- 30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 27aWR-1 VT-STMによるH/Si(111)1×1表面上のAgクラスターの成長過程(微粒子・クラスタ)(領域9)
- 20aPS-58 H/Si(111)1×1 表面上の Al ナノクラスターの成長過程
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 18aTG-1 水素終端n型及びp型ケイ素(111)表面の化学反応性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pYJ-1 γ型Ga_2Se_3の構造と光学的性質
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))