26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-03-05

著者

• 山田 太郎

  理研

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大学工学部学際科学国際高等研究センター

• 田岡 琢己

  東北大院理

• 田岡 琢巳

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大学際

• 松井 一記

  東北大院理

• 松下 ステファン悠

  東北大院理

• 加藤 大樹

  東理大理

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