18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-08-24
著者
-
山田 太郎
理研
-
川添 良幸
東北大金研
-
須藤 彰三
東北大院理
-
粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
-
瀧川 知昭
東北大院理
-
粕谷 厚生
東北大学際
-
松下 ステファン悠
東北大院理
-
加藤 大樹
東理大理
-
新村 紘和
東北大院理
-
Murugan P.
東北大金研
関連論文
- 23aED-5 クラスターの最安定構造にみられるN依存安定性(23aED 電子状態・化学反応・分子構造,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 20pGQ-11 高周波測定対応STMと表面電子スピン検出(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aRK-10 STMによる流動モデル細胞膜のナノスケール観測(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGL-6 銅クラスターへの酸素吸着反応 : サイズによるクラスターの構造転移と反応性変化(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXG-5 Cr^+_3の電子構造 : 光解離分光と密度汎関数計算(化学物理一般,光応答・光散乱,量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- R-Pd-B系ペロブスカイト型化合物の合成と性質
- ペロブスカイト型希土類ロジウムボライドの磁性、硬度、耐酸化性
- ペロブスカイト型ボライドCeRh_3Bのホウ素不定比と性質
- 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- パーコレーションモデルを用いた電導薄膜の材料設計 : インジウム使用量削減をめざして
- 21aQF-13 Sr_3Ru_2O_7に対する不純物効果の観察(21aQF 秩序型酸化物・Ru酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aYG-11 高周波測定対応STMの開発と表面電子スピンの検出について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pYR-7 SrTiO_3の全エネルギー表面に対する格子歪み効果の理論的解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-2 ペロブスカイト型強誘電体の全エネルギー表面の谷底線の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pZL-15 STM/STSによるSr_3(Ru,Mn)_2O_7の局所電子状態観察(24pZL Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTC-7 STM/STSによる高純度Sr_3Ru_2O_7の電子状態観察(27aTC Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 13pXF-7 VT-STM による H/Si(111)1×1 表面上の Ag クラスターの成長過程 II(微粒子・クラスタ, 領域 9)
- 30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 27aWR-1 VT-STMによるH/Si(111)1×1表面上のAgクラスターの成長過程(微粒子・クラスタ)(領域9)
- 20aPS-58 H/Si(111)1×1 表面上の Al ナノクラスターの成長過程
- 2a-YG-8 筒状有機分子シクロデキストリン中のアントラセン(C_H_)の光吸収
- 28a-S-9 C_Asの第一原理分子動力学計算
- ヘマトポルフィリンとそのダイマーのTDDFT計算
- 2a-YE-12 C_とAr原子の高エネルギー衝突過程の第一原理分子動力学計算
- SF-063-1 蛍光ビーズを用いたセンチネルリンパ節生検法の検討
- 26pYH-16 トレハロース関連物質のテラヘルツスペクトルとその解析(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- オブジェクト指向設計によるチベット仏典文献の文字自動認識の発展(情報知識学会創立20周年記念特別号)
- 22aWA-2 CH_2分子の等電子異核系列に関するフント則の解釈(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22aWA-5 フント第一、第二則の統一的解釈(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pWB-5 ビリアル定理に基づく水素分子の化学結合の研究(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aXD-8 第二、第三周期原子系列のフント則解釈における電子相関の役割(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26aWG-10 分子のフント経験則の解釈(26aWG 化学物理(シミュレーション・電子状態・光応答),領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 28aTB-10 フント則の起源は何か?(28aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 酸化セリウムナノ結晶のサイズ効果
- 28pWM-7 量子モンテカルロ法による水素分子の研究(電子系)(領域11)
- 30aXN-8 第一原理GW近似によるベンゼン分子の準粒子エネルギー計算(原子・分子)(素粒子論,宇宙線,領域1,領域11合同)
- 29pZP-5 変形したナノチューブにおける低エネルギー特性 : Local energy gap生成機構(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 28pRB-8 半経験的ポテンシャルによるBaTiO_3とPbTiO_3の分子動力学シミュレーション(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pVE-1 BaTiO_3強誘電体薄膜キャパシターのヒステリシス・ループの分子動力学計算(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pVC-1 第二,第三周期原子系列の電子構造に対する相関の影響(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pXQ-8 マグネシウム基合金のモデルとしてのマグネシウムクラスターの構造と安定性の理論計算(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- Ge_6多価アニオンクラスターの安定構造の理論的研究
- 分子デバイスに向けた有機分子/金属界面設計 (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- Pt-M合金(M=Ru, Sn)上におけるCO酸化に関する活性化エネルギーの評価
- 分子・固体の安定性はどのように実現されるか?--多電子論におけるビリアル定理の重要性
- 20aYM-12 強誘電体薄膜の高速な分子動力学シミュレーション(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 第一原理シミュレーション計算による次世代デバイス設計
- 第一原理計算によるメタロセン分子の導電性評価
- 22pXA-4 ペロブスカイト型強誘電体のより正確なエネルギー表面の表式化
- 21pXA-6 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子と原子空孔の XPS スペクトルの予想
- 21aTH-13 第一原理計算による Fe, Mo をドープした SrTiO_3 の磁性の評価
- 17pTG-15 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子のXPSスペクトルの予想
- 28aYS-3 導電性高分子配線の電気伝導シミュレーション研究
- 27p-S-2 MDポテンシャルの格子気体模型への繰り込みとC_などの相転移への応用
- 7)光磁気ディスクにおける磁区形成シミュレーション(画像情報記録研究会)
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 25a-Z-10 第一原理分子動力学法によるC_の振動状態 (III)
- 30a-ZS-13 第一原理分子動力学法によるC_の振動状態(II)
- 29p-BPS-17 第一原理分子動力学法によるC_の振動状態
- 14aXE-10 第一原理計算による CaAl_Zn_x の構造安定性の研究(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 27aYK-7 シリコンベースナノサイズ単分子磁石の理論計算(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWE-2 導電性新規ケイ素ポリマー(分子デバイス, 導電性高分子, 領域 7)
- 28pWP-5 第1原理計算とSTM観測によるSi(313)12x1再構成表面の原子構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 新規ケイ素オリゴマーとケイ素ベンゼン
- CeO_ナノ結晶のXPSスペクトルとモデル計算
- 30p-YY-15 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長III
- 7a-YL-6 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長II
- 30p-YJ-6 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長
- BCC格子モデルによるシリコン融液からの凝固過程
- ダイヤモンド成長過程のバリスティック凝集モデル
- 23aXF-2 永久電流に見えるナノチューブの特殊性
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 25pWY-1 強誘電体薄膜キャパシタのインプリント現象の分子動力学シミュレーション(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 22aYC-12 金属原子内包シリコン・クラスターの GW 準粒子エネルギー計算
- 23aXE-9 分子性結晶 TTTA の電子状態と反射スペクトル
- 19pPSB-1 第一原理全電子混合基底法によるSi/SiO_2界面の研究
- 19aWD-7 第一原理GW近似によるアルカリ金属クラスターの準粒子エネルギー計算
- 28pXE-4 電子励起状態における化学反応ダイナミックス
- 18aTG-1 水素終端n型及びp型ケイ素(111)表面の化学反応性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pYJ-1 γ型Ga_2Se_3の構造と光学的性質
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))