松下 ステファン悠 | 東北大院理
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概要
関連著者
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山田 太郎
理研
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須藤 彰三
東北大院理
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松下 ステファン悠
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加藤 大樹
東理大理
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粕谷 厚生
東北大学際
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東北大学際セ
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田岡 琢巳
東北大院理
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松井 一記
東北大院理
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新村 紘和
東北大院理
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川本 絵里奈
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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加藤 大樹
東北大院理
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中矢 博樹
東北大院理
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田岡 琢己
東北大院理
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粕谷 厚生
学際セ
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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高田 弘樹
東北大院理
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川添 良幸
東北大金研
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瀧川 知昭
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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芳賀 健也
東北大院理
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加藤 大樹
東理大
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鈴木 貴幸
東北大院理
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姜 正敏
東北大院理
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梅津 新
東北大院理
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Murugan P.
東北大金研
著作論文
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))