粕谷 厚生 | 東北大学国際高等融合領域研究機構

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学国際高等融合領域研究機構の論文著者

関連著者

• 粕谷 厚生

  学際セ

• 粕谷 厚生

  東北大学国際高等融合領域研究機構

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 山田 太郎

  理研

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科

• Szuba S.

  Poznun Univ. of Tech. (Poland)

• 加藤 大樹

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大学際

• 田岡 琢巳

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大融合研

• 中矢 博樹

  東北大院理

• Osiecki J.

  東北大院理

• Osiecki Jacek

  Linkoping大

• 瀧川 知昭

  東北大院理

• 本谷 宗

  学際セ

• 早川 美徳

  東北大学大学院理学研究科

• 川添 良幸

  東北大金研

• 田岡 琢己

  東北大院理

• 早川 美徳

  東北大院理

• 冷清水 裕子

  東北大院理

• 田鎖 幸樹

  東北大院理

• 堀井 広幸

  東北大院理

• 芳賀 健也

  東北大院理

• 川添 良幸

  東北大学

• 松井 一記

  東北大院理

• 松下 ステファン悠

  東北大院理

• 高田 弘樹

  東北大院理

• 佐崎 元

  東北大・金研

• 石井 聡

  筑波大加速器

• 石井 聰

  筑波大・研基セ

• 渡辺 明

  東北大多元研

• 中嶋 一雄

  東北大金研

• 菊地 英樹

  東北大金研

• 高橋 まさえ

  東北大金研

• Dmitruk Andriy

  東北大学際セ

• Czajka R.

  東北大学際セ

• 千葉 朋

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大電子

• 粕谷 厚生

  東北大学工学部学際科学国際高等研究センター

• 木村 大介

  東北大院理

• Murgan P.

  東北大金研

• 西方 督

  金研

• 佐崎 元

  金研

• 山田 太郎

  学際セ

• Czajka R.

  学際セ

• Wawro A.

  学際セ

• 中嶋 一雄

  金研

• 本谷 宗

  東北大学際セ

• 田岡 琢巳

  東北大理

• 須藤 彰三

  東北大理

• 伊藤 隆

  東北大学際セ

• 永島 幸延

  東北大院理

• 石井 聡

  横浜国立大学大学院工学府物理工学コース

• 石井 聰

  筑波大 研基セ

• 大野 かおる

  横国大院工

• 大野 かおる

  横浜国立大大学院工学府物理情報工学専攻

• 伊藤 隆

  Center For Interdisciplinary Research And Graduate School Of Engineering Tohoku University

• 粕谷 厚生

  東北大学際センター

• 佐崎 元

  北大低温研:jst-さきがけ

• 菊地 英樹

  東北大学金属材料研究所

• 高橋 まさえ

  東北大学金属材料研究所

• 大野 かおる

  横浜国立大学大学院工学府物理工学コース

• 粕谷 厚生

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 長岡 桃子

  横浜国立大学大学院工学府

• 野口 良史

  物質材料研究機構

• 泉水 一紘

  東北大院理

• 早川 美穂

  東北大院理

• Wawro A

  東北大金研

• Wawro A.

  東北大学際セ:ポーランド科学アカデミー

• Wawro A.

  東北大金研

• 生田目 謙

  東北大院理

• 巾嶋 一雄

  東北大・金研

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

• 野口 良史

  東大物性研

• 加藤 大樹

  東理大

• 佐〓 元

  東北大学・金研

• 西方 督

  徳島大学工学部

• 佐崎 元

  豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所

• 加藤 大樹

  東理大理

• Watanabe A

  Univ. Tokyo Tokyo

• 中嶋 一雄

  京都大

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著作論文

• 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22pPSB-31 第一原理による(CdSe)_クラスターの光吸収スペクトル計算(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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