21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
粕谷 厚生
東北大学際セ
-
須藤 彰三
東北大院理
-
Czajka R.
東北大学際セ
-
須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
-
粕谷 厚生
学際セ
-
Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
-
粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
-
Osiecki J.
東北大院理
-
堀井 広幸
東北大院理
-
芳賀 健也
東北大院理
-
Osiecki Jacek
Linkoping大
-
粕谷 厚生
東北大学際
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