27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
粕谷 厚生
東北大学際セ
-
後藤 武生
東北大理
-
山本 愛士
奈良先端大物質
-
八百 隆文
東北大金研
-
粕谷 厚生
学際セ
-
山本 愛士
東北大理
-
八百 隆文
東北大学際セ
-
木戸 健夫
東北大理
-
八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
-
粕谷 厚生
東北大学際
-
CHEN Y.F
東北大金研
関連論文
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13p-DC-15 ポリマー中PbI_2微粒子の共鳴ラマン散乱 II
- 30a-B-4 PbI_2微粒子中の励起子の圧力効果
- 27a-X-14 ポリマー中PbI_2微粒子の励起子発光II
- 31p-N-8 E-MAAポリマー中PbI_2微粒子の光物性
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 28a-ZF-3 Ag(110)の二次非線形光学応答
- 27a-D-2 貴金属-色素(H_2TPP)界面の励起電子の寿命
- 27a-E-14 半導体-金属-色素(H_2TPP)界面における電子励起状態と発光
- 27a-E-13 酸化物-色素 (H_2TPP) 界面の励起電子の寿命
- 3a-A-15 酸化物一色素(H_2TPP)界面の電子励起状態と発光
- 5a-TC-8 層状半導体PbI_2,BiI_3超薄膜の吸収スペクトル
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 1p-Y-14 シクロデキストリン中のSnI_4クラスターの反射スペクトル
- 28a-ZG-5 オリゴシランの電子状態と光励起ダイナミクス
- 26a-YN-3 サブピコ秒パルス励起によるポリシランの発光の非線形性II
- 26a-YN-2 ポリシランの励起子ダイナミクスの温度依存性
- 8a-G-18 サブピコ秒パルス励起によるポリシランの発光の非線形性
- 31p-YC-7 ポリシランの励起子発光機構
- 31p-YC-6 σ-π共役ポリマーの励起状態とダイナミクス
- 3p-Y-4 シランオリゴマーの発光機構II
- 29p-Z-14 ポリメチルフェニルシランの励起子ダイナミクス
- 29p-Z-13 シランオリゴマーの発光機構
- 28p-YM-10 ポリシランの励起子ダイナミクス
- 3a-G-9 配向したポリシランの共鳴発光と時間応答
- 31a-J-3 ポリシランの共鳴発光と時間応答
- ラマン分光法による珪酸塩スラグの構造解析
- 166 ラマン分光法による珪酸塩スラグの構造研究(製鋼基礎・造塊, 製鋼, 日本鉄鋼協会 第 98 回(秋季)講演大会)
- 12a-DE-7 ZnCdSe/ZnSe量子井戸の励起子による光励起レーザ発振II
- 酸化セリウムナノ結晶のサイズ効果
- 3a-B-3 ZnP_2励起子の線形ゼーマン分裂
- 4a-C3-2 黒色ZnP_2励起子の磁場効果III
- CeO_ナノ結晶のXPSスペクトルとモデル計算
- 25a-ZE-17 CuCl薄膜中の励起子分子
- 25a-ZE-16 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果
- 28a-F-3 ゼオライト中の半導体クラスターの励起子(CuCl)
- 30p-L-2 LTA(Na-A)-PbI_2構造
- 27a-X-11 ゼオライト細孔中のPbI_2クラスターの励起子の振動子強度
- 3a-X-2 ゼオライト細孔中のPBI_2マルチクラスター
- 1p-N-2 ゼオライト細孔中のCdTeクラスターの光吸収
- 1p-N-1 ゼオライト細孔中HgI_2クラスターの光吸収
- 3a-X-1 ポリマー中PbI_2微粒子の励起子発光
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 30pYB-3 Si電極を用いた水素発生と表面状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 3p-G-19 アントラセン超微粒子における励起子状態密度と蛍光過程
- 31p-ZH-1 GaTeにおける励起子のエネルギー分裂
- 光エネルギー変換を目的としたストラティファイド薄膜の作製
- 17pRE-5 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子・励起子分子のダイナミクス
- 28pYA-10 ZnOエピタキシャル膜における高密度キャリアによるバンドギャップのエネルギーシフト
- 23pN-14 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光II
- 25a-ZE-8 PbI_2微結晶の励起子の超強磁場効果
- 29p-G-1 C10-PbI_4単結晶の最低励起子の強磁場効果
- 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 溶液析出法によるCds薄膜光触媒の調製と反応活性
- ポリオールプロセスを用いた金属微粒子の製造およびサイズ制御
- 27a-K-6 ポリビニルカルバゾールの発光
- 3a-G-9 ZnSeの強結合束縛励起子
- 発光のアーバック則と自由・瞬間局在励起子競合モデル
- 25aYM-10 電子照射によるシリコン中の水素・アクセプター対の消滅(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 22aXB-5 (CdSe)_ナノ粒子の表面Seの不活性化による発光効率の向上(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30a-B-5 PbI_2微粒子のホールバーニング分光
- 30aYQ-11 磁性金属微粒子のトンネル発光円偏光度空間分布
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXK-3 (CdSe)nナノ粒子の構造と光物性(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-7 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-8 NMRによる(CdSe)_粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17aRF-17 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 I : 実験
- 金属イオンドープ型ZnO光触媒の調製とそれを用いた光エネサギー変換
- 構造およびサイズ制御されたCo微粒子の作製および磁気特性
- 20pTG-3 Si結晶電極による水素発生過程の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-4 In_2S_3ナノ粒子の光電気化学特性(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ZnO, ZnS 光触媒薄膜の調製とその触媒特性
- 新しいプロセスによるストラティファイド半導体微粒子の調製とその光触媒特性
- 25aF-12 水素ガス中アーク放電によるナノグラファイバーの成長と構造
- 30pPSA-43 フルオレンの単結晶及び単一分子の電子状態
- 30pPSA-42 ビチオフェンとターチオフェンの単結晶及び単一分子の電子状態
- クラスター素材の特徴と応用
- 26a-M-9 共鳴ラマン散乱による単層ナノチューブの金属/半導体状態の判別
- 27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
- 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYH-11 NMRによる(CdSe)_の解析と構造の特徴(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aXJ-4 X線とNMRによる(CdSe)_nナノ粒子の解析(28aXJ 微粒子・クラスタ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pW-9 電極反応Ag表面のトンネル発光スペクトル空間分布測定
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))