25aYM-10 電子照射によるシリコン中の水素・アクセプター対の消滅(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
末澤 正志
横浜市大総理:東北大学際
-
粕谷 厚生
東北大学際セ
-
小島 謙一
横市大 総理
-
粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
-
粕谷 厚生
東北大学学際科学研究センター
-
小島 謙一
横浜市大総理
-
粕谷 厚生
東北大学際
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