粕谷 厚生 | 東北大学際セ
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概要
関連著者
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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粕谷 厚生
東北大学際
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粕谷 厚生
学際セ
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須藤 彰三
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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粕谷 厚生
東北大融合研
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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山田 太郎
理研
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粕谷 厚生
東北大学際センター
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粕谷 厚生
東北大学学際科学国際高等研究センター
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加藤 大樹
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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田岡 琢巳
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大学学際科学研究センター
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田路 和幸
東北大学大学院環境科学研究科
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仁科 雄一郎
東北大学金属材料研究所
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仁科 雄一郎
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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仁科 雄一郎
東北大学名誉教授
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Yoshida N
Institute For Materials Research Tohoku University
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NISHINA Yuichiro
The Research Institute for Iron,Steel and Other Metals,Tohoku University
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Nishina Yuichiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Nishina Yuichiro
Institute Of Materials Resesrch Tohoku University
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Nishina Yuichiro
Institute For Materials Science Tohoku University
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野田 泰斗
東北大工
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NISHINA Yuichiro
Research Institute for Iron, Steel and Other Metals Tohoku University
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篠田 弘造
東北大
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田路 和幸
東北大
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前川 英己
東北大工
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粕谷 厚生
東北大 金研
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川添 良幸
東北大金研
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中矢 博樹
東北大院理
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篠田 弘造
東北大・環境
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Osiecki J.
東北大院理
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Osiecki Jacek
Linkoping大
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野田 泰斗
東北大学際センター
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吉成 武久
山形大理
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渡辺 明
東北大多元研
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仁科 雄一郎
石巻専修大
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瀧川 知昭
東北大院理
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田岡 琢己
東北大院理
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Czajka R.
学際セ
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本谷 宗
学際セ
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永島 幸延
東北大院理
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早川 美徳
東北大院理
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長坂 慎一郎
山形大理
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高橋 良雄
山形大理
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Jeyadevan Balachandran
東北大院工学研究科
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川添 良幸
東北大学
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粕谷 厚生
東北大学・金属材料研究所
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松井 一記
東北大院理
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松下 ステファン悠
東北大院理
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Jeyadevan B
東北大
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Watanabe A
Univ. Tokyo Tokyo
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早川 美徳
東北大学大学院理学研究科
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バラチャンドラン ジャヤデワン
東北大学大学院環境科学研究科
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坂本 一之
千葉大院融合
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篠田 弘造
東北大学多元物質科学研究所
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後藤 武生
東北大理
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恒川 信
東北大金研
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坂本 一之
東北大院理
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坂木 一之
東北大院理
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澤野 史武
東北大院理
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劉 希
東北大学際セ
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渡辺 明
東北大反応研
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Czajka R.
東北大学際セ
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川添 良幸
東北大 金属材料研
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篠田 弘造
東北大学 多元物質科学研究所
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Wawro A.
学際セ
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伊藤 隆史
東北大学際センター
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冷清水 裕子
東北大院理
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田鎖 幸樹
東北大院理
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堀井 広幸
東北大院理
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芳賀 健也
東北大院理
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大島 仁志
東北大・院工
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前川 英己
東北大院工
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西谷 龍介
九工大情報
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高田 弘樹
東北大院理
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仁科 雄一郎
石卷専修大学
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チナサーミ シ・エヌ
東北大
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宮川 美樹
山形大理
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田路 和幸
東北大学
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加藤 大樹
東理大理
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佐崎 元
東北大・金研
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ジャヤデワン バラチャンドラン
東北大学大学院環境科学研究科
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末澤 正志
横浜市大総理:東北大学際
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佐原 亮二
東北大金研
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中嶋 一雄
東北大金研
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菊地 英樹
東北大金研
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高橋 まさえ
東北大金研
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Dmitruk Andriy
東北大学際セ
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小島 謙一
横市大 総理
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原田 壮基
東北大院理
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土井 里志
東北大院理
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山本 愛士
奈良先端大物質
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千葉 朋
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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八百 隆文
東北大金研
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木村 大介
東北大院理
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Murgan P.
東北大金研
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西方 督
金研
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佐崎 元
金研
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山田 太郎
学際セ
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中嶋 一雄
金研
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本谷 宗
東北大学際セ
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田岡 琢巳
東北大理
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須藤 彰三
東北大理
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伊藤 隆
東北大学際セ
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Czajka R.
Poznan Univ. of Tech. (Poland)
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Wawro A.
Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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志波 晃子
東北大院理
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Czajka R.
東北大院理
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隅山 兼治
名工大工
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中平 貴工
三重大工
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斎藤 弥八
三重大工
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伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
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吉田 武司
九工大情報
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山本 愛士
東北大理
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伊藤 隆
Center For Interdisciplinary Research And Graduate School Of Engineering Tohoku University
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JEYADEVAN Balachandran
東北大学大学院環境科学研究科
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吉村 大士
東北大・院工
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佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
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小島 謙一
横浜市大総理
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伊藤 俊
東北大金研
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WANG Jian-Tao
中科院物理所
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八百 隆文
東北大学際セ
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佐原 亮二
東北大学金属材料研究所
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菊地 英樹
東北大学金属材料研究所
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高橋 まさえ
東北大学金属材料研究所
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荒井 健男
東北大
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泉水 一紘
東北大院理
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早川 美穂
東北大院理
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鈴木 千里
東北大院理
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八田 振一郎
東北大院理
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咲間 修平
日石三菱石油(株)
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八久保 鉄平
東北大・院工
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大塚 秀幸
東北大学際セ
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Mamykin Sergiy
東北大学際セ
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Wawro A
東北大金研
-
Wawro A.
東北大学際セ:ポーランド科学アカデミー
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Wawro A.
東北大金研
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Szuba S.
九工大情報
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Czajka R
東北大金研
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木戸 健夫
東北大理
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生田目 謙
東北大院理
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舞田 正朋
三重大工
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CHINNASAMY C.
東北大
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PERALES Oscar
東北大
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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粕谷 厚夫
東北大融合研
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山同 精一朗
東北大院工
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野田 泰斗
東北大院工
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巾嶋 一雄
東北大・金研
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長坂 愼一郎
山形大理
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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荒川 等
九工大情報
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加藤 大樹
東理大
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山同 精一朗
東北大工
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野口 航
東北大学際センター
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Park yeon
東北大学際センター
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金 泰臻
山形大理
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吉村 大士
東北大学
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ジャヤデワン バラチャンドラン
東北大
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ペレス オ・ペ
東北大
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須田 茂之
東北大学際セ
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米澤 裕亮
東北大学際センター
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JEYADEVAN Balachandran
東北大学地球工学科
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ジャデワン バラチャンドラン
東北大
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咲間 修平
東北大学・工
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柳沢 恒徳
日本電気
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孫 京秀
山形大理
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伊藤 廣記
山形大理
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CHEN Y.F
東北大金研
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バラチャンドラン ジャヤデワン
東北大
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佐〓 元
東北大学・金研
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西方 督
徳島大学工学部
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佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
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佐原 亮二
東北大学・金属材料研究所
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中嶋 一雄
京都大
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Wawro A.
Polish Academy of Science
著作論文
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 酸化セリウムナノ結晶のサイズ効果
- CeO_ナノ結晶のXPSスペクトルとモデル計算
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 30pYB-3 Si電極を用いた水素発生と表面状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 光エネルギー変換を目的としたストラティファイド薄膜の作製
- 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 溶液析出法によるCds薄膜光触媒の調製と反応活性
- ポリオールプロセスを用いた金属微粒子の製造およびサイズ制御
- 25aYM-10 電子照射によるシリコン中の水素・アクセプター対の消滅(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 22aXB-5 (CdSe)_ナノ粒子の表面Seの不活性化による発光効率の向上(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYQ-11 磁性金属微粒子のトンネル発光円偏光度空間分布
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXK-3 (CdSe)nナノ粒子の構造と光物性(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-7 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-8 NMRによる(CdSe)_粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17aRF-17 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 I : 実験
- 金属イオンドープ型ZnO光触媒の調製とそれを用いた光エネサギー変換
- 構造およびサイズ制御されたCo微粒子の作製および磁気特性
- 20pTG-3 Si結晶電極による水素発生過程の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-4 In_2S_3ナノ粒子の光電気化学特性(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ZnO, ZnS 光触媒薄膜の調製とその触媒特性
- 新しいプロセスによるストラティファイド半導体微粒子の調製とその光触媒特性
- 25aF-12 水素ガス中アーク放電によるナノグラファイバーの成長と構造
- 30pPSA-43 フルオレンの単結晶及び単一分子の電子状態
- 30pPSA-42 ビチオフェンとターチオフェンの単結晶及び単一分子の電子状態
- クラスター素材の特徴と応用
- 26a-M-9 共鳴ラマン散乱による単層ナノチューブの金属/半導体状態の判別
- 27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
- 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYH-11 NMRによる(CdSe)_の解析と構造の特徴(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aXJ-4 X線とNMRによる(CdSe)_nナノ粒子の解析(28aXJ 微粒子・クラスタ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pW-9 電極反応Ag表面のトンネル発光スペクトル空間分布測定
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))