坂本 一之 | 東北大院理
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概要
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坂本 一之
東北大院理
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坂木 一之
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東北大院理
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坂本 一之
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東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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内田 和喜男
東北大院理
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芦間 英典
東北大院理
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粕谷 厚生
学際セ
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太田 俊明
東大理
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原沢 あゆみ
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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武田 英夫
東北大院理
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牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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脇田 高徳
東北大院理
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木村 昭夫
東大物性研
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粕谷 厚生
東北大金研
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鈴木 俊宏
東北大院理
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雨宮 健太
東大理
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牛見 義光
東北大院理
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須藤 彰三
東北大理
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坂本 一之
東北大理
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太田 俊昭
東大理
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柿崎 明人
東大物性研
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木下 豊彦
NEDO
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島 政英
東北大院理
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澤野 史武
東北大院理
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平野 真澄
東北大院理
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坂本 一之
東北大学大学院理学研究科
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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原田 昌史
東北大院理
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尾嶋 正治
東大院工
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奥田 太一
東大物性研
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渡辺 明
東北大多元研
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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松井 文彦
東大理
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小林 敬介
東北大院理
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高田 真也
東北大院理
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豊田 智史
東大院工
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岡林 潤
東大院工
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Zhang H.
IFM, Linkoping大学
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Uhrberg R.
IFM, Linkoping大学
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劉 希
東北大学際セ
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渡辺 明
東北大反応研
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土井 里志
東北大院理
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脇田 高穂
東北大院理
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小野 寛太
総研大・高エ研
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Uhrberg R.i.g.
Linkoping University
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鈴木 利尚
東北大院理
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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粕谷 厚生
東北大学際
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脇田 高徳
東北大理
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胡 長武
東北大金研
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Watanabe A
Univ. Tokyo Tokyo
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Zhang H.M.
Linkoping大学
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吉信 淳
東大物性研
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尾嶋 正治
東大工
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田中 虔一
東大物性研
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小林 大介
東大工
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小野 寛太
高エ研
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立命館大学SRセンター
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東北大理
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Yeom H.
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Yeom H.
Yonsei大
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京大院理
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Uhrberg R.I.G.
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IFM, Linkoping大学
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Uhrberg R.I.G.
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Zhang H.
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Link ping大学
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坂本 一之
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Zhang H.M.
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坂本 一之
東北大院理:IMFLinkopingUniv
著作論文
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン
- 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究
- 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
- 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III
- 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
- 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
- 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
- 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_の吸着状態
- 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
- 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
- カーボン60吸着シリコン表面の電子状態
- 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
- 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
- 31a-K-7 Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素
- 3p-J-10 HREELSとSTMの複合測定によるCu-O/Ag(110)系の研究
- 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
- カーボン 60 とシリコン表面の相互作用
- 29a-PS-13 Si表面に吸着したC_からのSiC薄膜の形成
- Si表面に吸着したC_の振動状態 : 吸着量及び温度依存性
- 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
- 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
- 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
- 金属と半導体表面の酸素吸着と酸化初期過程
- 8aSM-13 Si(111)-(7×7)表面上に吸着した準安定酸素の構造決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7aSM-10 Ag/Si(111)-(6×1)表面の相転移; : 低温におけるc(12×2)相の観測(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pPSB-17 エネルギー損失分光法を用いた銀吸着Si(111)表面の研究(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-8 Snを吸着したInSb(111)-(2×2)表面の電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-7 高分解能Si2p内殻光電子分光によるCa/Si(111)-("n"×1)表面の研究(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-10 Ag吸着Si(111)表面の振動状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))