中村 健哉 | 東大工
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概要
関連著者
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尾嶋 正治
東大工
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小野 寛太
東大工
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中村 健哉
東大工
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中園 晋輔
東大工
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小野 寛太
総研大・高エ研
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木原 隆幸
東大工
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Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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Yeom Han
東大理
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom W.h
Yonsei Univ. Seoul Kor
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木原 隆幸
東大院工
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水口 将輝
東北大学
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岡林 潤
東大理
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間野 高明
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水口 将輝
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木綿 秀行
東大工
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堀場 弘司
東大工
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堀場 弘治
理研 SPring-8
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間野 高明
物質・材料研究機構
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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藤森 淳
東大新領域
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山田 素久
東大院工
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柿崎 明人
高エ研
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山田 素久
東大工
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柿崎 明人
東京大学放射光連携研究機構(物性研究所)
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坂本 一之
東北大院理
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島 政英
東北大院理
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近藤 大雄
東北大院理
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萩本 賢哉
東大工
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Yeom H.
東大工
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Oh J.
東大工
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Koh H.
Yonsei大
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竹山 若葉
東北大院理
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粕壁 普隆
東北大院工-留セ
著作論文
- 30aXE-6 MBE成長したGaAs再構成表面のin situ放射光光電子分光
- 28aTB-3 MBE作製III-V族希薄磁性半導体のin situ光電子分光
- 22aW-11 光電子分光によるIn吸着Si(111)表面の低次元金属性の研究
- 28aYQ-12 Si(100)上Biナノワイヤの表面構造と電子状態
- 28aYQ-6 Si(100)-Pbの表面構造と電子状態
- 25pPSB-8 Snを吸着したInSb(111)-(2×2)表面の電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))