近藤 大雄 | 東北大院理
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概要
関連著者
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坂本 一之
東北大院理
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近藤 大雄
東北大院理
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坂木 一之
東北大院理
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須藤 彰三
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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原沢 あゆみ
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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木村 昭夫
東大物性研
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牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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太田 俊明
東大理
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柿崎 明人
東大物性研
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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坂本 一之
千葉大院融合
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武田 英夫
東北大院理
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内田 和喜男
東北大院理
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雨宮 健太
東大理
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牛見 義光
東北大院理
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太田 俊昭
東大理
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松井 文彦
東大理
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木下 豊彦
NEDO
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脇田 高徳
東北大院理
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尾嶋 正治
東大院工
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尾嶋 正治
東大工
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奥田 太一
東大物性研
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小林 大介
東大工
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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小野 寛太
高エ研
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小野 寛太
東大工
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中村 健哉
東大工
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柿崎 明人
物構研
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柿崎 明人
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所
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鈴木 俊宏
東北大院理
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豊田 智史
東大院工
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岡林 潤
東大院工
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島 政英
東北大院理
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小林 大介
東大院工
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澤野 史武
東北大院理
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平野 真澄
東北大院理
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Jemander S.
IMF, Linkoping Univ.
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Hansson G.
IMF, Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
IMF, Linkoping Univ.
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脇田 高穂
東北大院理
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坂本 一之
東北大学大学院理学研究科
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近藤 大雄
東北大学大学院理学研究科
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木村 昭夫
東京大学物性研究所
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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小野 寛太
総研大・高エ研
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脇田 高徳
東大物性研
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原田 昌史
東北大院理
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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Jemander S.
Imf Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
Imf Linkoping Univ.
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Hansson G.
Imf Linkoping Univ.
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粕谷 厚生
東北大学院セ
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竹山 若葉
東北大院理
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粕壁 普隆
東北大院工-留セ
著作論文
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
- 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III
- 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
- 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
- 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
- 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
- 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
- カーボン60吸着シリコン表面の電子状態
- 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
- 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
- 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
- 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-8 Snを吸着したInSb(111)-(2×2)表面の電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))