岡林 潤 | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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概要
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岡林 潤
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日本原子力研究開発機構放射光科学研究ユニット
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由利 正忠
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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小野 寛太
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岡根 哲夫
原研 Spring-8
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藤森 淳
東京大学大学院 理学系研究科
著作論文
- 軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMnイオンの磁気的相互作用の研究
- 21aYK-2 Ga_Mn_xAsの内殻吸収磁気円二色性による磁気的相互作用の研究(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-1 軟X線領域におけるZnTe薄膜を用いた二次高調波生成(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-3 軟X線領域におけるGaAs薄膜を用いた二次高調波生成(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-1 GaAs薄膜を用いた軟X線放射光による非線形効果の観測(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 21pXH-8 In-situ光電子分光による膜厚に依存したMnAsの電子状態解析(遍歴磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pZC-1 希薄磁性半導体Ga_Cr_XAsのin-situ光電子分光 : Ca_Mn_XAsとの類似点、相違点(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 19pTA-9 熱拡散Mn/GaAs(001)界面の光電子分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28pPSB-3 GaAs(001)に蒸着したMnの熱拡散の光電子分光による深さ方向分析(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-3 GaMnAsのXMCD磁場・温度・濃度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22pPSA-65 X線光電子分光によるGaAs(001):Mnの深さ方向分析(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 24aPS-24 GaMnAsの軟X線磁気円二色性の磁場依存性II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aYC-13 GaMnAs の軟 X 線磁気円二色性の磁場依存性(磁性半導体, 領域 4)
- 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 磁性ナノ構造の作製と放射光を用いた評価
- 分子線エピタキシー成長表面のin situ光電子分光
- 21pTH-4 Ga_Mn_xAs の in situ 光電子分光