秋永 広幸 | 産業技術総合研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
秋永 広幸
産総研
-
小野 寛太
総研大・高エ研
-
高野 史好
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産業技術総合研
-
秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
-
水口 将輝
東北大学
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
尾嶋 正治
東大院工
-
秋永 広幸
JRCAT
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
秋永 広幸
ナノ機能合成プロ産総研
-
高野 史好
ナノ機能合成プロ
-
水口 将輝
ナノ機能合成プロ産総研
-
小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
-
小野 寛太
東大院工
-
島 久
産業技術総合研究所
-
大渕 博宣
JASRI
-
秋永 広幸
アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
水口 将輝
JRCAT
-
水口 将輝
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
DAVID Melanie
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
-
赤穂 博司
産総研
-
David Melanie
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
滝田 宏樹
筑波大物質工
-
白井 正文
東北大通研
-
尾嶋 正治
東大工
-
小野 寛太
高エ研
-
眞砂 卓史
JRCAT
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
-
赤穗 博司
産総研CERC
-
中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
-
大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
-
細井 康成
シャープ株式会社技術本部
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
-
石原 数也
シャープ株式会社技術本部
-
渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
-
井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
-
山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
-
高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
瀧田 宏樹
筑波大物質工
-
井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
-
ROMAN Tanglaw
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
-
小川 佳宏
東工大院理工
-
中西 寛
阪大院工
-
脇田 高徳
Jasri
-
小野 寛太
高エネ研PF
-
水口 将輝
産総研
-
小野 寛太
東大工
-
小野 寛太
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
谷内 敏之
東大物性研
-
小野 寛太
高エネルギー加速器研究機構
-
高野 史好
産総研
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
-
笠井 秀明
阪大工
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
時崎 高志
産総研
-
黒田 眞司
産総研
-
滝田 宏樹
ナノ機能合成プロ
-
Bauer Ernst
アリゾナ州立大学
-
王 文洪
産総研ナノテク
-
Muhida R.
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
時崎 高志
産総研ナノテク:sorst-jst
-
本山 慎一
Samco Inc.
-
MUHIDA Rifki
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
黒田 眞司
筑波大学物質工学系
-
菱木 繁臣
原子力機構
-
国方 伸一
阪大院工
-
大島 武
原子力機構
-
高野 史好
産総研ナノテク
-
十倉 好紀
ERATO-MF
-
藤森 淳
東大理
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
山上 浩志
原子力機構放射光
-
岡根 哲夫
原子力機構放射光
-
大河内 拓雄
原子力機構放射光
-
藤森 伸一
原子力機構放射光
-
竹田 幸治
原子力機構放射光
-
斎藤 祐児
原子力機構放射光
-
南 不二雄
東工大院理工
-
梅津 理恵
東北大工
-
深道 和明
東北大工
-
井上 公
産総研強相関セ
-
保田 周一郎
産総研ナノテク
-
高木 英典
産総研ナノ機能合成プロ
-
赤穂 博司
産総研強相関セ
-
十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
-
鈴木 基寛
高輝度光科学研究センター
-
河村 直己
高輝度光科学研究センター
-
十倉 好紀
東大院工
-
斉藤 祐児
原子力機構
-
河村 直己
(財)高輝度光科学研究センター
-
小林 正起
東大理
-
小林 正起
東大院工
-
沖本 洋一
東工大院理工
-
鈴木 基寛
(財)高輝度光科学研究センター
-
南 不二雄
北大応電研
-
脇田 高徳
岡山大学理学部
-
斉藤 祐児
原研 SPring-8
-
黒田 眞司
筑波大
-
Dino Wilson
阪大院理
-
川崎 雅司
東北大金研
-
脇田 高徳
岡山大院自然:jst-crest
-
鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
-
梅津 理恵
東北大多元研
-
尾嶋 正治
東京大学工学部
-
竹田 幸治
原子力機構
-
岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
黄 鐘日
東大新領域
-
寺井 恒太
原子力機構SPring-8
-
宋 敬錫
東大理
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
Lippmaa Mikk
東大物性研
-
Lippmaa Mikk
東大 物性研
-
組頭 広志
Jst-crest:東大院工
-
尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
-
岡根 哲夫
原子力機構
-
久保田 正人
高エ研
-
梅津 理恵
東北大学多元物質科学研究所
-
深道 和明
東北大学大学院工学研究科材料物性学固体物性工学分野
-
横山 浩
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
水口 将輝
産総研ナノ機能合成プロジェクト
-
水口 将輝
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
岡林 潤
東大工
-
小野 寛太
KEK
-
由利 正忠
SRRC
-
Chen C.T.
SRRC
-
眞砂 卓史
産総研
-
尾嶋 正治
東大工
-
白井 正文
大阪大学基礎工学研究科
-
山田 素久
東大院工
-
間野 高明
東大院工
-
水口 将輝
東大院工
-
岡林 潤
東大院理
-
白井 正文
阪大基礎工
-
谷内 敏之
東京大学物性研究所
-
小嗣 真人
高輝度光科学研究センター
-
高垣 昌史
高輝度光科学研究センター
-
有馬 孝尚
ERATO-SSS
-
谷内 敏之
東大工
-
横谷 尚睦
JASRI
-
沖本 洋一
産総研CERC
-
斎藤 祐児
Jaeri
-
小嗣 真人
Jasri
-
高垣 昌史
高輝度光科学研究センター利用研究促進部門
-
岡林 潤
東大院工
-
武田 幸治
広大放射光セ
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所・ナノテクノロジー研究部門
-
間野 高明
物質・材料研究機構
-
白井 正文
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性分野
-
佐久間 昭正
東北大工
-
組頭 広志
東大工
-
小野 寛太
高工研
-
小野 寛大
高工研
-
久保田 正人
高工研
-
間野 高明
(独)物質・材料研究機構
-
中西 寛
阪大工
-
斎藤 祐児
原子力機構
-
大久保 優
東工大院理工
-
DINO Wilson
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
中西 寛
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
BAUER Ernst
アリゾナ州立大学物理天文学科
-
岸 浩史
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
尾澤 伸樹
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
ARBOLEDA Nelson
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
松本 茂野
阪大工
-
David M.
阪大工
-
Roman T.
阪大工
-
Muhida R.
阪大工
-
Dino Wilson
阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
島 久
産総研
-
国方 伸一
阪大工
-
佐久間 昭正
東北大学 大学院 工学研究科 応用物理学専攻
-
Dino Wilson
阪大理
-
齋藤 祐児
原研
-
尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
-
Bauer E
Arizona State Univ.
-
Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
Muhida Rifki
阪大工
-
金澤 朋実
産業技術総合研究所
-
本山 慎一
サムコ株式会社
-
若山 貴行
産業技術総合研究所
-
David Melanie
阪大工
-
渡辺 晋
産総研
-
国方 伸一
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
大渕 博宣
高輝度セ
-
大渕 博宣
高輝度光科学研究センター
-
菱木 繁臣
日本原子力研究開発機構
著作論文
- 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aTH-1 (Cd, Mn)Te/(Cd, Mg)Te 変調ドープ 2 次元電子系の磁場・電場下における時空間分解分光
- 31aYH-4 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系の低温磁場下における時空間分解分光 II
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- 28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)
- スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
- 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
- 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
- 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
- MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
- GaAs/MnSbグラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性
- MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
- MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
- 硬X線励起光電子顕微鏡
- 22aTG-11 強磁性SiC:Mnの光電子分光およびX線吸収分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pXP-9 光電子顕微鏡によるステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の磁区構造観察(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 29pXL-8 MnPt, MnPdの光学反射スペクトルと擬ギャップ(遷移金属・希土類)(領域3)
- 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
- 25pPSB-36 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング : 第一原理計算に基づくプロセスデザイン(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYA-2 (Ga,Mn)Asにおける磁化誘起第二高調波発生(磁性半導体)(領域4)
- 閃亜鉛鉱型スピンエレクトロニクス材料の薄膜成長と評価
- 誘導結合型プラズマによる有機レジストおよびTiマスクを用いたNiFeの反応性イオンエッチング
- 21pXF-14 Etching Surfaces of Ferromagnetic Materials : Ab-Initio Based Process Design and Realization
- 第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
- 23pPSB-54 イオン注入法により作製された強磁性3C-SiC:Mnの局所構造(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 遷移金属合金の反応性イオンエッチング
- 22pPSA-66 熱拡散法によるSiCへの磁性元素Mnの導入(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiCベース室温強磁性半導体の探索
- 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 放射光光電子顕微鏡によるナノスケール磁性体の磁区構造観察
- 放射光光電子顕微鏡による flux closure 構造の観察
- カーボンナノチューブを用いた磁気力顕微鏡
- 磁性材料のナノスケール計測技術 : カーボンナノチューブMFMとスピンエレクトロニクスへの展開