カーボンナノチューブを用いた磁気力顕微鏡

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2007-08-25

著者

• 秋永 広幸

  産総研

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 秋永 広幸

  産業技術総合研

• 倉持 宏実

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

関連論文

• 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30p-L-4 MnSb(0001)のスピン・角度分解光電子分光
• 21aTH-1 (Cd, Mn)Te/(Cd, Mg)Te 変調ドープ 2 次元電子系の磁場・電場下における時空間分解分光
• 31aYH-4 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系の低温磁場下における時空間分解分光 II
• 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
• 26aC01 室温強磁性閃亜鉛鉱型CrAs単結晶薄膜のMBE成長(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
• 27aYA-6 MnAsエピタキシャル薄膜のスピン波ブリルアン散乱(磁性半導体)(領域4)
• 金属/半導体ハイブリッド超薄膜で出現した超巨大磁気抵抗効果-磁気抵抗スイッチ効果-
• 28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)
• Au/GaAs超構造における磁気抵抗スイッチ効果
• スピン偏極強磁性体"閃亜鉛鉱型CrAs"の厚膜化と磁気特性評価
• 完全スピン偏極強磁性体の物質設計と合成
• 完全スピン偏極強磁性体CrAsの物質設計および合成 : 合金薄膜
• 17aYH-10 閃亜鉛鉱型MnAsドットの作製と光電子分光
• 強磁性半導体(Ga,Cr)Asの成長と磁気特性
• 閃亜鉛鉱型CrAs多層構造の作製と特性評価
• 完全スピン偏極強磁性体CrAs: 物質設計, 合成, デバイス応用
• MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
• GaAs/MnSbグラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
• MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性
• MnSbグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果
• MnSbグラニュラー薄膜の作製と基礎物性評価
• 硬X線励起光電子顕微鏡
• 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域5(光物性))
• 22pYG-16 紫外線レーザー光電子顕微鏡を用いた顕微分光(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 22aTG-11 強磁性SiC:Mnの光電子分光およびX線吸収分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• STM探針からSi(111)7×7表面に付与されたSi吸着子の振る舞い
• 31p-YF-9 Si(111)7×7表面に供給したSi単原子位置の解析
• 14aXC-3 光電子顕微鏡を用いた X 線磁気イメージング(MCD・X 線発光・散乱, 領域 5)
• 20aYH-12 ステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の一軸磁気異方性((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pXP-9 光電子顕微鏡によるステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の磁区構造観察(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 27pWE-6 La_Sr_Mn_2O_7の放射光光電子顕微鏡(PEEM)観察(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pXL-8 MnPt, MnPdの光学反射スペクトルと擬ギャップ(遷移金属・希土類)(領域3)
• 29aWB-4 遍歴反強磁性体 MnPt の擬ギャップと電子状態
• 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
• 25pPSB-36 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング : 第一原理計算に基づくプロセスデザイン(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 磁性・スピントロニクス
• MnSb:GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果
• 27aYA-2 (Ga,Mn)Asにおける磁化誘起第二高調波発生(磁性半導体)(領域4)
• 閃亜鉛鉱型スピンエレクトロニクス材料の薄膜成長と評価
• カーボンナノチューブ探針を用いた高分解能磁気力顕微鏡観察(「磁性に関連したセンシング技術の広がりとその最前線」その2-磁気イメージング)
• カーボンナノチューブ探針を用いた高分解能MFM観察
• スピンエレクトロニクス・ナノマグネティクス
• 合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」
• スピントロニクスの基礎と応用
• 誘導結合型プラズマによる有機レジストおよびTiマスクを用いたNiFeの反応性イオンエッチング
• 21pXF-14 Etching Surfaces of Ferromagnetic Materials : Ab-Initio Based Process Design and Realization
• 第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
• 23pPSB-54 イオン注入法により作製された強磁性3C-SiC:Mnの局所構造(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 遷移金属合金の反応性イオンエッチング
• 22pPSA-66 熱拡散法によるSiCへの磁性元素Mnの導入(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiCベース室温強磁性半導体の探索
• メゾスコピック磁性体における vortex カイラリティ制御
• 13pWB-13 メゾスコピック磁性体における vortex カイラリティ制御(微小領域磁性, 領域 3)
• 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 金属/半導体グラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果
• 放射光光電子顕微鏡によるナノスケール磁性体の磁区構造観察
• 放射光光電子顕微鏡による flux closure 構造の観察
• カーボンナノチューブを用いた磁気力顕微鏡
• 磁性材料のナノスケール計測技術 : カーボンナノチューブMFMとスピンエレクトロニクスへの展開
• GaAs基板上に成長したCoCr薄膜の垂直磁気特性
• 高湿度雰囲気下でのプローブ顕微鏡によるサブピコアンペア微小電流計測
• 25aWB-7 GaAS(001)-2×4表面上の有機金属分子の観察
• 25pAC-10 レーザーを用いた超高空間分解能光電子顕微鏡による磁気イメージング(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
• 6pWA-4 放射光光電子顕微鏡を用いたメゾスコピック磁性体のflux closure構造の観察(微小領域磁性・磁化過程,領域3)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク