二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
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概要
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Ta/CoO/Pt構造のRRAMにて、20ns高速スイッチング、100uA程度の低リセット電流および良好な書換え特性を実現した.金属酸化物から酸素を奪いやすく、その酸化物の抵抗率が高くなるような電極材料を用い、かつフォーミング時の電流を制限することによりリセット電流の低減が可能となる.
- 2008-04-10
著者
-
細井 康成
シャープ株式会社技術本部
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
-
島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
島 久
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産業技術総合研
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粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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