遷移金属合金の反応性イオンエッチング
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概要
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For production of advanced spin-electronic devices, such as a magnetic random access memory with the higher-density memory cell, a reactive ion etching (RIE) process of transition metal alloys is the indispensable component of development, while no transition-metal compounds with the relatively high vapor pressure have been founded so far. Here, we show the RIE process of a NiFe thin film by using CH4:O2:NH3 discharge. The RIE process was designed by ab initio calculations, and the present result is the first successful demonstration of the chemical effect in the RIE process for transition-metal alloys. The relative etching ratio of NiFe against Ti as the metal mask was decreased by substituting CH4 with CHF3.
- 日本真空協会の論文
- 2006-12-20
著者
-
秋永 広幸
産総研
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
高野 史好
産業技術総合研究所
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
-
秋永 広幸
産業技術総合研
-
DINO Wilson
大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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