20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
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概要
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- 2005-08-19
著者
-
井上 公
産総研強相関セ
-
保田 周一郎
産総研ナノテク
-
秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
-
高木 英典
産総研ナノ機能合成プロ
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赤穂 博司
産総研強相関セ
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十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
赤穗 博司
産総研CERC
-
赤穂 博司
産総研
-
赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
保田 周一郎
産総研ナノテク:東大院新領域
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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