MnSbグラニュラー薄膜の作製と磁気光学特性

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概要

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• MnSb ultra-thin films with nominal thicknesses of 0.35, 0.70, 1.05, and 1.40 nm were grown on sulfur-passivated GaAs (001) substrates by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy analyses showed that MnSb formed nanosized dots on the substrate, and that coalescence of the clusters occurred at nominal thicknesses between 0.70 and 1.05 nm. The intensity of the polar magnetic circular dichroism of MnSb clusters and the saturation magnetization suddenly increased when the nominal thickness reached the critical value of 1.05 nm. The coalescence of the dots can be correlated with the sharp increase in the MCD intensity.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 2000-04-15

著者

• 水口 将輝

  東北大学

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 秋永 広幸

  アトムテクノロジー研究体・産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 小野 寛太

  東京大学大学院工学系研究科

• 水口 将輝

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 秋永 広幸

  アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所 & 東大物性研

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