光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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放射光の特徴である高輝度性と波長可変性を利用してゲート絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態とバンドオフセットの評価法を開発した。具体的には、放射光光電子分光とX線吸収分光を用いてSi酸化膜、窒化膜およびHigh-k酸化膜のバンドオフセットを決定し、エネルギー損失スペクトルと比較を行った。また、in-situ加熱による結晶化についても、価電子スペクトルとX線吸収スペクトルによって定性的評価が可能であることを初めて見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
組頭 広志
Jst-crest:東大院工
-
岡林 潤
東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東大工
-
池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
-
劉 紫園
半導体理工学研究センター
-
高橋 晴彦
東大工
-
岡林 潤
東京大学大学院工学系研究科
-
劉 国林
半導体理工学研究センター
-
池田 和人
半導体理工学研究センター
-
臼田 宏治
半導体理工学研究センター
-
高橋 晴彦
東京大学大学院工学系研究科
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