23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-02-29
著者
-
岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
岡林 潤
東工大理
-
吉野 淳二
東工大院理工
-
渡辺 麻耶
東工大理
-
吉野 淳二
東工大
-
吉野 淳二
東工大・工
-
岡林 潤
東工大院理工
-
渡辺 麻耶
東工大院理工
関連論文
- 軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMnイオンの磁気的相互作用の研究
- 21aYK-2 Ga_Mn_xAsの内殻吸収磁気円二色性による磁気的相互作用の研究(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXQ-7 MnAsナノ構造の内殻磁気円二色性(放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光)(領域5)
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aPS-1 軟X線領域におけるZnTe薄膜を用いた二次高調波生成(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-3 軟X線領域におけるGaAs薄膜を用いた二次高調波生成(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 人材育成
- 20pPSA-1 GaAs薄膜を用いた軟X線放射光による非線形効果の観測(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 21pXH-8 In-situ光電子分光による膜厚に依存したMnAsの電子状態解析(遍歴磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pZC-1 希薄磁性半導体Ga_Cr_XAsのin-situ光電子分光 : Ca_Mn_XAsとの類似点、相違点(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 28a-PS-15 イオンビームスパッタ法により作製した鉄窒化膜
- イオンビームスパッタ法により作製した鉄窒化膜
- 19pTA-9 熱拡散Mn/GaAs(001)界面の光電子分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28pPSB-3 GaAs(001)に蒸着したMnの熱拡散の光電子分光による深さ方向分析(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-3 GaMnAsのXMCD磁場・温度・濃度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22pPSA-65 X線光電子分光によるGaAs(001):Mnの深さ方向分析(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 24aPS-24 GaMnAsの軟X線磁気円二色性の磁場依存性II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aYC-13 GaMnAs の軟 X 線磁気円二色性の磁場依存性(磁性半導体, 領域 4)
- 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 磁性ナノ構造の作製と放射光を用いた評価
- 分子線エピタキシー成長表面のin situ光電子分光
- 21pTH-4 Ga_Mn_xAs の in situ 光電子分光
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 25aPS-73 酸化物半導体SnO_2へのFe,Co共ドープによる希薄磁性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
- 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
- 24pPSA-14 LEED I-V法によるGaAs(001)-c(4×4)表面の構造解析
- 24pPSA-10 Mn吸着GaAs(001)面へのGaAs成長のSTM観察
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 30p-YC-6 ZnSe-MOVPE成長膜中の偏光カソードルミネッセンス分布II
- 28a-A-3 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸中のカソードルミネッセンス分布
- 31a-F-5 ZnSeーMBE成長膜の偏光カソードルミネッセンス
- 21pPSA-3 GaAs(001)表面上におけるCr吸着(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28a-C-2 化合物半導体中のDXセンター
- 4p-DR-22 GaP中の非輻射過程による点欠陥の移動
- 28p-S-11 NiSi_2(111)及びCoSi_2(111)の表面構造と緩和の比較
- 27a-PS-53 CoSi_2(111)/Si(111)表面上の窒化膜の形成
- 31a-PS-23 Si(111)面上に形成したCoSi_2(111)薄膜表面の初期窒化過程
- 8a-H-11 Si(001)-2×2-(Ag, H)の形成
- 29a-PS-10 Si(001)-(2×3)Agへの水素吸着
- 24aPS-36 GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 15pXE-11 GaAs(001) 上の MnAs 初期成長表面の STM/BEEM 観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
- 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
- 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
- 20aWD-10 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成と磁気的性質
- 19pPSB-32 GaAs(001)面上のInAs初期形成過程の観察
- 19pPSB-12 GaAs(001)上の磁性金属薄膜のBEEM観測
- 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
- 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
- 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
- 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
- 29pPSA-46 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成
- 29pPSA-5 Si基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観測
- 24pPSA-30 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察II
- 26aPS-15 Au吸着に伴いCoSi_2(111)/Si(111)に形成される異方的表面超構造
- 26aPS-4 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察
- 半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)報告
- 25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-19 Fe,Mnを共ドープしたSnO_2強磁性半導体微粒子の磁気特性と電子構造(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 有機金属分子線法によるワイドギャップカルコパイライト型化合物半導体のエピタキシャル成長
- 化合物半導体 (金属間化合物)
- 6pPSB-14 Fe/GaAs(001)接合のBEEM観測(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSM-2 テンソルLEEDによるGaAs(001)-c(4×4)表面構造の再解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 26aKF-10 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおけるスピンゼーベック効果の測定(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)
- 24pWE-6 III-V族半導体量子ドットの励起子発光とそのダイナミクス(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aWD-5 GaAs(001)低温MBE成長におけるAs圧依存性(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))