25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-03-03

著者

• 加来 滋

  学振

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 吉野 淳二

  東工大

• 吉野 淳二

  東工大・工

• 柳生 数馬

  東工大院理工

• 加来 滋

  東京大院理工

• 吉野 淳二

  東京大院理工

関連論文

• 23pHS-7 超高真空原子間力顕微鏡によるTSSG BaTiO_3結晶の分域観察(23pHS 誘電体(マルチフェロイック・ドメイン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
• 21pQG-2 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 人材育成
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 28aYB-5 Co/N/Cu(001)表面の電子状態(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-39 表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYJ-7 AFM測定方法の違いによる強誘電体の表面構造の比較(誘電体(酸化物),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYJ-1 原子間力顕微鏡と圧電応答顕微鏡による原子ステップと分域の観察-2(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pRF-9 原子レベルに表面を制御したチタン酸バリウム単結晶の表面伝導(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pRF-8 超高真空原子間力顕微鏡によるBaTiO_3分域の表面電位変化の観察(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pRF-7 原子間力顕微鏡と圧電応答顕微鏡による原子ステップと分域の観察(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pVE-3 超高真空原子間力顕微鏡によるBaTiO_3分域の変化の観察(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aVE-3 BaTiO_3単結晶の表面伝導層の安定性(22aVE 誘電体(輸送現象),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aYE-8 BaTiO_3単結晶の伝導異常と構造との関係(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYE-9 超高真空原子間力顕微鏡(UHV-AFM)による清浄化BaTiO_3表面の観察(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXA-8 大気AFM, UHV-AFMによるBaTiO_3の分域の比較(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 : 表面磁性)(領域9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 表面磁性)(領域3)
• 20aPS-63 窒素飽和吸着銅 (001) 表面上におけるコバルトドットの XAS と MCD
• 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
• 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
• 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
• 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
• 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
• 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
• 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
• 22aXK-7 スズ吸着銅(001)表面の電子状態の研究(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
• 17pTF-4 GaAs(001)低温成長におけるRHEED振動の異常
• 28aTA-5 低温成長GaAS(001)表面のRHEED/STM観察
• 24pPSA-14 LEED I-V法によるGaAs(001)-c(4×4)表面の構造解析
• 24pPSA-10 Mn吸着GaAs(001)面へのGaAs成長のSTM観察
• 25aWS-4 Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の2種類の緩和機構(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-38 ガス吸着による表面パターンの制御(領域 9)
• 30pYE-1 窒素飽和吸着銅(001)表面におけるCoドット成長のSTM観察(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
• 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
• 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
• 30p-YC-6 ZnSe-MOVPE成長膜中の偏光カソードルミネッセンス分布II
• 28a-A-3 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸中のカソードルミネッセンス分布
• 31a-F-5 ZnSeーMBE成長膜の偏光カソードルミネッセンス
• 21pPSA-3 GaAs(001)表面上におけるCr吸着(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aTA-3 Co ドットの X 線吸収スペクトル
• 31aZE-8 Co/N/Cu(001) 表面・界面における XAS・MCD
• 30pYE-9 Cu(001)表面における窒素・酸素共吸着ナノパターン形成(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 22aYE-6 Cu(001) 表面における窒素・酸素の共吸着
• 31pZF-2 N/Cu(001) と Fe/N/Cu(001) 表面における酸素吸着
• 28aWD-4 窒素吸着により Cu (001) 微斜面上に形成されるナノパターン : STM 観察
• 28a-C-2 化合物半導体中のDXセンター
• 4p-DR-22 GaP中の非輻射過程による点欠陥の移動
• 28p-S-11 NiSi_2(111)及びCoSi_2(111)の表面構造と緩和の比較
• 27a-PS-53 CoSi_2(111)/Si(111)表面上の窒化膜の形成
• 31a-PS-23 Si(111)面上に形成したCoSi_2(111)薄膜表面の初期窒化過程
• 8a-H-11 Si(001)-2×2-(Ag, H)の形成
• 29a-PS-10 Si(001)-(2×3)Agへの水素吸着
• 20aXA-1 強誘電体Pb_La_xZr_Ti_yO_3薄膜の輸送特性の温度依存性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aYM-3 格子不整合BaTiO_3薄膜のPTCR的非線型伝導異常(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-36 GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRD-9 スピントロニクスの課題と超低速ミュオンへの期待(27pRD 領域9,領域3,領域4合同シンポジウム:超低速ミュオンが拓く表面・界面・薄膜の先端ナノサイエンス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aB10 GaAsのMBE成長におけるリエントラントなRHEED振動の機構(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 15pXE-11 GaAs(001) 上の MnAs 初期成長表面の STM/BEEM 観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 29pWP-1 GaAs(001)低温成長における異常ラフニングII(結晶成長)(領域9)
• 28aWP-2 GaAs(001)-c(4x4)α及びβ構造の解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 20aPS-29 GaAs(001) 基板上の MnAs の成長初期構造の解析
• 28aZE-9 GaAs(001) 低温成長における異常ラフニング
• 20aWD-10 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成と磁気的性質
• 19pPSB-32 GaAs(001)面上のInAs初期形成過程の観察
• 19pPSB-12 GaAs(001)上の磁性金属薄膜のBEEM観測
• 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
• 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
• 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
• 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
• 22pPSB-12 Cu(001)表面における酸素の解離吸着(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-11 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(3)(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-4 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(2)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-3 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSA-46 Si(111)-√×√-Ag表面へのFe蒸着によるナノドットの形成
• 29pPSA-5 Si基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観測
• 24pPSA-30 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察II
• 26aPS-15 Au吸着に伴いCoSi_2(111)/Si(111)に形成される異方的表面超構造
• 26aPS-4 半導体基板上に形成した磁性金属薄膜のBEEM観察
• 25aZD-6 原子間力顕微鏡と構造解析によるBaTiO_3薄膜の伝導異常の解析(25aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYR-9 BaTiO_3格子不整合エピ薄膜の伝導異常の熱処理分極処理依存性(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27pYA-4 BaTiO_3エピタキシャル薄膜の伝導異常の実験的解析(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)報告
• 25pTH-1 GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-30 SiC(0001)表面における銅蒸着グラフェン膜の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 有機金属分子線法によるワイドギャップカルコパイライト型化合物半導体のエピタキシャル成長
• 化合物半導体 (金属間化合物)
• 6pPSB-14 Fe/GaAs(001)接合のBEEM観測(表面界面結晶成長,領域9)
• 7aSM-2 テンソルLEEDによるGaAs(001)-c(4×4)表面構造の再解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 26aKF-10 希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおけるスピンゼーベック効果の測定(スピントロニクス(スピン流),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 9aSN-5 GaAs(001)低温成長の基板表面平坦性への依存性(表面・界面ダイナミクス,領域9)
• 24pWE-6 III-V族半導体量子ドットの励起子発光とそのダイナミクス(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aWD-5 GaAs(001)低温MBE成長におけるAs圧依存性(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク