臼田 宏治 | 半導体理工学研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 半導体理工学研究センターの論文著者

関連著者

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 智史

  東京大学大学院工学系研究科

• 岡林 潤

  東京大学大学院工学系研究科

• 臼田 宏治

  半導体理工学研究センター

• 岡林 潤

  東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻

• 組頭 広志

  Jst-crest:東大院工

• 岡林 潤

  東大院工

• 組頭 広志

  東京大学大学院工学系研究科

• 劉 国林

  半導体理工学研究センター

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 丹羽 正昭

  半導体理工学研究センター

• 劉 紫園

  半導体理工学研究センター

• 池田 和人

  半導体理工学研究センター

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 組頭 広志

  東大工

• 平下 紀夫

  半導体MIRAI-ASET

• 高橋 晴彦

  東大工

• 高橋 晴彦

  東京大学大学院工学系研究科

• 小野 寛太

  KEK物質構造科学研究所

• 奥村 務

  東京大学大学院工学系研究科

• 平下 紀夫

  半導体理工学研究センター

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著作論文

• 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

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